Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364139
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62791)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21319)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21692)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8692)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3462)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20644)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: работы «Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots»

Название: работы «Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots»
Раздел: Остальные рефераты
Тип: реферат Добавлен 18:22:46 02 апреля 2012 Похожие работы
Просмотров: 2 Комментариев: 6 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

Реферат работы

«Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots»

А. Ф. Зиновьева, А. В. Двуреченский, Н. П. Стёпина, А. С. Дерябин, А. И. Никифоров,

R. Rubinger, N. A. Sobolev, J. P. Leitao, M. C. Carmo.

Данная работа относится к новому актуальному направлению физики твёрдого тела – спинтронике, связанной с потенциальным применением спиновой степени свободы для создания устройств передачи и хранения информации, для квантовых вычислений. В работе изложены результаты исследования электронных состояний в структурах с Ge/Si квантовыми точками (КТ) методом ЭПР. Локализация электронов вблизи КТ реализована за счёт сложения деформационных полей в многослойных структурах с когерентными КТ и, как следствие, увеличения глубины потенциальной ямы для электрона в Si, окружающем Ge КТ, Обнаружен новый ЭПР-сигнал с аксиально-симметричным g-фактором (g|| =1.9995, g^ =1.9984) и анизотропной шириной линии. Ось симметрии g-фактора совпадает с направлением роста квантовых точек. Главные значения полученного g-тензора совпадают со значениями g-тензора для электронов в Si в D долине, а сам g-фактор имеет анизотропную угловую зависимость, что подтверждает локализацию электронов в напряженных областях Si вблизи Ge КТ. Минимальное значение ширины ЭПР-линии 0.8 Э наблюдается при ориентации внешнего магнитного поля вдоль оси роста квантовых точек, максимальное значение (в 4 раза больше) – в перпендикулярном направлении. Данный эффект может быть объяснен анизотропией процессов спиновой релаксации, связанной с существованием эффективного магнитного поля Бычкова-Рашба, возникающего вследствие структурной асимметрии Ge квантовой точки. До сих пор подобный эффект наблюдался только для двумерных (2D) асимметричных структур и связан с прецессионным механизмом спиновой релаксации при движении носителя в двумерном слое. В случае системы с КТ эффективное магнитное поле возникает при туннелировании носителей между квантовыми точками. В процессе туннелирования спин электрона поворачивается на малый угол, что приводит к перевороту спина после достаточного количества прыжков между КТ. Перенос заряда осуществляется преимущественно между близко расположенными КТ с сильной туннельной связью. Поскольку расположение КТ в плоскости носит случайный характер, то при каждом прыжке направление туннелирования меняется, что приводит к изменению направления эффективного магнитного поля. Частота прыжков между КТ может рассматриваться как характерная частота флуктуаций эффективного магнитного поля. Из анализа угловой зависимости ширины ЭПР-линии была получена характерная частота флуктуаций 1/tс =3*1011 с‑1 . Данное значение и время поперечной спиновой релаксации T2 =10-7 c, полученное из ширины ЭПР-линии, позволили оценить величину эффективного магнитного поля HBR »30 Э, что является верхним пределом данной величины.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Olya06:49:36 29 августа 2019
.
.06:49:36 29 августа 2019
.
.06:49:35 29 августа 2019
.
.06:49:34 29 августа 2019
.
.06:49:33 29 августа 2019

Смотреть все комментарии (6)
Работы, похожие на Реферат: работы «Spin resonance of electrons localized on Ge/Si quantum dots»

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(258706)
Комментарии (3483)
Copyright © 2005-2020 BestReferat.ru support@bestreferat.ru реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru