Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364139
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62791)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21319)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21692)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8692)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3462)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20644)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Контрольная работа: Применение полупроводниковых диодов и стабилитронов

Название: Применение полупроводниковых диодов и стабилитронов
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: контрольная работа Добавлен 03:48:42 13 декабря 2010 Похожие работы
Просмотров: 105 Комментариев: 12 Оценило: 2 человек Средний балл: 5 Оценка: неизвестно     Скачать

Министерство образования и науки РФ

Дальневосточный Государственный Технический Университет

(ДВПИ им. Куйбышева)

Институт Радиоэлектроники Информатики и Электротехники

ЭЛЕКТРОНИКА

«ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ И СТАБИЛИТРОНОВ»

Владивосток

2010 г.


Цель работы: знакомство с некоторыми, наиболее распространенными, схемами применения диодов и стабилитронов, особенностями этих схем и областями их применения.

1. Для исследования взят диод: BY228. Снятие характеристик проводилось по схеме, представленной на рис.2.1.

D3

D4

D1

D2

Рис. 2.1. Однополупериодная (а) и мостовая (б) схемы выпрямителей

а) б)

Рис. 2.2. Осциллограммы входного (10 В) и выходного напряжений однополупериодной (а) и мостовой (б) схем выпрямителей на частоте 5 кГц


При работе однополупериодной схемы выходное напряжение повторяет входное только в положительные полупериоды (рис.2.2.а), в которые диод D1 (рис.2.1а) открыт. При работе мостовой схемы (рис.2.2.б) выходное напряжение повторяет входное в положительные полупериоды, когда открыты диоды D1 и D3, и равно модулю входного отрицательного напряжения, когда открыты диоды D2 и D4 (рис.2.1.б).

В обоих случаях амплитуда выходного напряжения меньше амплитуды входного на величину падения напряжения на одном открытом диоде D1 для схемы рис.2.1а, и величину суммы падений напряжений на диодах D1 и D3 или D1 и D3 для схемы рис.2.1б.

а) б)

Рис. 2.3. Осциллограммы входного (10 В) и выходного напряжений однополупериодной (а) и мостовой (б) схем выпрямителей на частоте 50 кГц

При работе выпрямителя на частотах, которые превышают предельное значение паспортной частоты, сказывается влияние собственной проходной емкости диода. Так, на рис. 2.3.а видны отрицательные выбросы напряжения в интервалы времени, когда диод D1 (рис. 2.1.а) заперт. В это время диод начинает работать как емкость дифференцирующей цепи (с сопротивлением нагрузки).

При работе мостового выпрямителя существенных изменений, кроме повышения уровня минимального напряжения, не наблюдается – возможно, данная модель диода ведет себя неадекватно или некорректна схема рис.2.1 (нет общего провода с выхода на осциллограф с нагрузки выпрямителя).

а) б)

Рис. 2.4. Осциллограммы входного (60 В) и выходного напряжений однополупериодной (а) и мостовой (б) схем выпрямителей на частоте 5 кГц

На рис.2.4 показаны осциллограммы напряжений при превышении входного напряжения величины пробивного напряжения (50В) диода.

Для однополупериодной схемы (рис. 2.4а) в момент превышения обратного напряжения значения 50В образуется отрицательный выброс, повторяющий форму входного напряжения в интервале после 50В. Это вызовет необратимый тепловой пробой диода и приведет к выходу его из строя.

Для мостовой схемы наблюдается снижение выходного напряжения в моменты превышения входным напряжением предельного значения для диода. При меньших входных напряжениях наблюдаются переходные неустойчивые процессы, говорящие о неадекватной работе диодов в этом режиме.

б)

а)

Рис. 2.5. Осциллограммы входного (10 В) и выходного напряжений на частоте 5 кГц схем выпрямителей: однополупериодной (а) при сопротивлении нагрузки R=100кОм; и мостовой (б) при сопротивлении нагрузки R=1МОм

При увеличении сопротивления нагрузки (с 1 кОм до 100 кОм) начинает влиять проходная емкость диода, сопротивление переменному току которой становится соизмеримым с сопротивлением нагрузке. Аналогично процессу, показанному на рис. 2.3а, появляется выброс отрицательного напряжения на выходе выпрямителя (рис. 2.5а).

При моделировании работы мостовой схемы эффект изменения работы проявляется при больших значениях сопротивления нагрузки (R=1МОм), и выражается в увеличении минимальных значений выходного напряжения (рис. 2.5б)

2. Исследование применения диодов в качестве ограничителей производилось по схемам, изображенным на рис.2.6. Полученные осциллограммы работы приведены на рис.2.7.

б)

в)

а)

Рис. 2.6. Диодные ограничители:

а, б – односторонние ограничители, в – двухсторонние ограничители

в)

б)

а)

Рис. 2.7. Осциллограммы входного (15 В) и выходного напряжений ограничителей:

а, б – односторонние ограничители, в – двухсторонний ограничитель

Величина выходного напряжения схемы (рис. 2.7а) ограничена напряжением:

· Uа, равным сумме напряжения опорного источника (5 В) и напряжения падения на открытом диоде U=1,5В;

· Uб, равным сумме текущего напряжения на делителе (1,7 – 5,0В) и напряжения падения на открытом диоде U=1,5В;

· Uв, равным напряжению падения на открытых диодах U=±1,5В.


3. Исследование применения стабилитронов производилось по схемам, изображенным на рис. 2.8. Полученные данные о выходных и выходных напряжениях схем сведены в табл. 2.1 и табл. 2.2, их зависимости друг от друга показаны на графике.

Таблица 2.1

Зависимость выходного напряжения U2 от входного U1 (схема рис. 2.6а)

U1 (В)

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

5,5

6,0

6,5

7,0

7,5

U2 (В)

0

0

0

0

0,07

0,51

0,99

1,48

1,97

2,46

U1 (В)

8,0

8,5

9,0

9,5

10,0

10,5

11,0

11,5

12,0

12,5

U2 (В)

2,95

3,45

3,94

4,43

4,93

5,42

5,92

6,41

6,91

7,40


Таблица 2.2

U1 (В)

3,0

3,5

4,0

4,5

5,0

5,5

6,0

6,5

7,0

7,5

U2 (В)

1,50

1,75

2,00

2,25

2,50

2,75

3,00

3,25

3,5

3,75

U1 (В)

8,0

8,5

9,0

9,5

10,0

10,5

11,0

11,5

12,0

12,5

U2 (В)

4,0

4,25

4,50

4,75

4,94

4,99

5,01

5,02

5,03

5,04

Зависимость выходного напряжения U2 от входного U1 (схема рис. 2.6б)


Выводы

В результате проделанной работы с использованием средств моделирования программного комплекса «Electronics Workbench» исследованы области применения полупроводникового диода BY228 и полупроводникового стабилитрона 1N4733. Сняты осциллограммы и проведено сравнение характера изменения выходных напряжений от входных. С помощью MS Excel 2003 построены графические зависимости напряжений в схемах стабилизаторов.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Привет студентам) если возникают трудности с любой работой (от реферата и контрольных до диплома), можете обратиться на FAST-REFERAT.RU , я там обычно заказываю, все качественно и в срок) в любом случае попробуйте, за спрос денег не берут)
Olya03:34:45 27 августа 2019
.
.03:34:45 27 августа 2019
.
.03:34:44 27 августа 2019
.
.03:34:43 27 августа 2019
.
.03:34:42 27 августа 2019

Смотреть все комментарии (12)
Работы, похожие на Контрольная работа: Применение полупроводниковых диодов и стабилитронов

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(258372)
Комментарии (3470)
Copyright © 2005-2020 BestReferat.ru support@bestreferat.ru реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru