Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Уолтер Хаузер Браттейн

Название: Уолтер Хаузер Браттейн
Раздел: Биографии
Тип: реферат Добавлен 10:13:07 27 мая 2007 Похожие работы
Просмотров: 64 Комментариев: 2 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

(10.02.1902-13.10.1987)

Уолтер Хаузер Браттейн - известный американский физик, изобретатель транзистора (совместно с Джоном Бардином и Уильямом Шокли). За это изобретения все три физика были удостоены Нобелевской премии.

Уолтер Хаузер Браттейн сделал много в области физики полупроводников и изучении их поверхностных свойств. Они оказались очень важны для полевых транзисторов, которые очень чувствительны к поверхностным дефектам, а также для солнечных батарей, свойства которых определяются электрическими свойствами поверхности.

Подробная биография

Уолтер Хаузер Браттейн родился в городе Амой (Сямынь) на юго-востоке Китая. Его отец - Росс Р. Браттейна был учителем. Его мать звали Оттилия (Хаузер) Браттейн. В их семье было пять детей. Еще в раннем действе Уолтера его семья вернулась в Тонаскет (штат Вашингтон).

Там же Уолтер учился в школе, потом поступил в Уайтмен-колледж (в Балла Валла). Уолтер Браттейн выбрал профилирующими предметами физику и математику. Он окончил колледж в 1924 году, став бакалавром.

В 1926 Браттейн получил степень магистра физики в Орегонском университете.

В рамках своей докторской программы Браттейн провел 1928/29 академический год в Национальном бюро стандартов США. Там он работал над увеличением точности измерений времени и частоты колебаний, помогал разрабатывать портативный генератор с температурной регулировкой.

В 1929 году Уолтер Браттейн защитил докторскую диссертацию по физике в Миннесотстком унивеситете.

В 1929 году Уолтер Хаузер Браттейн поступил в "Белл лабораториес" физиком-исследователем.

В 1967 году Уолтер Браттейн вышел в отставку, вернулся в Уайтмен-колледж, чтобы преподавать физику и заниматься изучением живых клеток.

Первые 7 лет работы в "Белл лабораториес" Браттейн изучал влияние адсорбционных пленок на эмиссию электронов горячими поверхностями, электронные столкновения в парах ртути, занимался магнитометрами, инфракрасными явлениями и эталонами частоты. В то время главным электронным усилительным устройством была трехэлектродная вакуумная лампа (триод), изобретенная Ли де Форестом в 1907 году. Браттейн внес в радиолампы небольшое усовершенствование - он обнаружил, что некоторые тонкие катодные покрытия обеспечивают удовлетворительную эмиссию при меньших температурах, усиливая эффект и продлевая срок жизни лампы.

В 1935 году Уолтер Браттейн женился на Керен Джилмор, занимавшейся физической химией, у них был сын.

В 1936 году в "Белл лабораториес" пришел Уильям Шокли, он быстро включился в исследования свойств полупроводниками. Он хотел заменить радиолампы приборами из твердых материалов, чтобы уменьшить их размер и сделать менее хрупкими и энергоемкими.

Полупроводники, к тому моменту, уже применялись в первых полупроводниковых радиоприемниках -использовался контакт между витком тонкой проволоки (усиком) и куском минерала галенита (полупроводником) для детектирования малых сигналов от принятых антенной радиоволн. Исследуя полупроводники, Браттейн и Шокли искали материал, который мог бы не только детектировать, но и усиливать сигналы. Их исследования прервала война.

С 1942 по 1945 годы Браттейн и Шокли работали в отделе военных исследований при Колумбийском университете, где занимались применением научных разработок в противолодочной борьбе.

Когда после войны Браттейн и Шокли вернулись в "Белл лабораториес", к ним присоединился физик-теоретик Джон Бардин. В этом содружестве Браттейн выполнял роль экспериментатора. Онопределял свойства и поведение исследуемых материалов и приборов. Шокли выдвинул теоретическое предположение, что воздействуя на ток электрическим полем от приложенного напряжения, можно получить усилитель с полевым воздействием. Это поле должно действовать аналогично тому полю, которое возникает на сетке триодного усилителя. Группа создала много приборов, чтобы проверить теорию Шокли, но все безрезультатно.

Джону Бардину пришла в голову мысль, что поле не может проникнуть внутрь полупроводника из-за слоя электронов на его поверхности. Тогда ученые стали исследовать поверхностные эффекты. Они подвергали поверхности полупроводников различным испытаниям: воздействию света, тепла, холода, смачиванию жидкостями (изолирующими и проводящими) и покрытию металлическими пленками.

В 1947 году, когда группа разобралась в поведении поверхности полупроводников, Браттейн и Бардин сконструировали прибор, в котором впервые проявилось то, что позднее назвали транзисторным эффектом. Этот прибор (точечно-контактный транзистор), состоял из кристалла германия, содержащего небольшую концентрацию примесей. С одной стороны кристалла располагались два контакта из золотой фольги, с другой стороны находился третий контакт. Положительное напряжение прикладывалось между первым золотым контактом (эмиттером) и третьим контактом (базой), а отрицательное напряжение - между вторым золотым контактом (коллектором) и базой. Сигнал, поступающий на эмиттер, оказывал влияние на ток в контуре коллектор - база. Хотя этот прибор усиливал сигнал, как и было задумано, но принцип его работы не могли объясненить. Это привело к серии дополнительных исследованиям, которые показали, что недооценивался вклад "дырок" в электрический ток.

Шокли предсказал, что прибор можно улучшить, заменив металлополупроводниковые контакты более качественными контактами между различными типами полупроводников, в одном из которых доминируют избыточные электроны (n-тип), а в другом дырки (p-тип). Удачная модель (плоскостной транзистор), была сделана в 1950 года. Она состояла из тонкого слоя p-типа, расположенного между двумя слоями n-типа с металлическими контактами в каждом слое. Этот прибор работал именно так, как и предсказывал Шокли. Плоскостные транзисторы стали использоваться вместо точечно-контактных, поскольку их было легче изготовлять и они лучше работали.

Раннюю идею Шокли, транзистор с полевым воздействием, долго не удавалось осуществить, поскольку среди доступных материалов не было подходящих. Работающий полевой транзистор был построен на основе кристаллов кремния, когда методы выращивания и очистки кристаллов достаточно далеко продвинулись вперед.

Благодаря изобретению транзисторов, появилась возможность создавать современные компьютеры и другие важные приборы.

Уолтер Браттейн получил медаль Стюарта Баллантайна Франклиновского института в 1952 году.

В 1955 году Браттейн получил премию Джона Скотта города Филадельфии.

Уолтер Хаузер Браттейн получил Нобелевскую премию по физике в 1956 году (совместно с Бардином и Шокли). Они были награждены "за исследования полупроводников и открытие транзисторного эффекта". В своей Нобелевской лекции "Поверхностные свойства полупроводников" ("Surface Properties of Semiconductors") Браттейн подчеркнул важность поверхностей, "где происходит много, если не большинство, интересных и полезных явлений. В электронике с большинством, если не со всеми, элементами контура связаны неравновесные явления, происходящие на поверхностях".

Дальнейшие исследования Браттейн посвящетил свойствам полупроводников и их поверхностей. Они оказались очень важны для полевых транзисторов, которые очень чувствительны к поверхностным дефектам, а также для солнечных батарей, свойства которых определяются электрическими свойствами поверхности.

В 1957 году жена Браттейна Керен Джилмор умерла. Через год он женился на Эмме Джейн Кирш Миллер.

Уолтер Браттейн получил почетную награду выпускникам Орегонского университета в 1976 году.

Уолтер Браттейн обладал пятью почетными докторскими степенями, состоя членом Национальной академии наук и Почетного общества изобретателей, а также являлся членом Американской академии наук и искусств, Американской ассоциации содействия развитию науки и Американского физического общества.

13 октября 1987 года Уолтер Хаузер Браттейн умер.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений22:19:00 18 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
15:42:46 24 ноября 2015

Работы, похожие на Реферат: Уолтер Хаузер Браттейн

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(150311)
Комментарии (1830)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru