Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности

Название: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности
Раздел: Рефераты по технологии
Тип: реферат Добавлен 16:40:01 13 августа 2005 Похожие работы
Просмотров: 35 Комментариев: 3 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

ВПУ-313.

Предмет: Проектирование РЭА.

Группа: РА-6.

КУРСОВОЙ ПРОЕКТ.

На тему: Расчет и проектирование в тонкопленочном

исполнении схемы усилителя мощности.

Учащегося: Короткова Е. В.

Преподаватель:

Даниелян В.С.

Дата выдачи задания:

Дата окончания проектирования:

Москва 1997г.

Схема усилителя мощности.

Эта схема представляет собой усилитель мощности на биполярном транзисторе, включенном по схеме с ОЭ. Переходной конденсатор C1 пропускает во входную цепь переменную составляющую напряжения источника сигнала и не пропускает постоянную составляющую. Блокирующий конденсатор C2 шунтирует резистор R4 по переменному току, исключая тем самым отрицательную обратную связь по переменным составляющим. Отсутствие конденсатора C2 привело бы к уменьшению усиления каскада. В области низших частот на работу усилителя оказывают влияние переходной и блокирующий конденсаторы, в области высших частот – частотная зависимость коэффициента тока базы, коллекторная емкость и емкость нагрузки.

Описание элементов.


Резисторы:

R1 = 2200 Ом

R2 = 480 Ом

R3 = 4500 Ом

R4 = 120 Ом

h = 100 мкм

bтехн = 100 мкм

Dl = 100 мкм

Db = 100 мкм

DR1 = 10%

DR2 = 0,9%

DR3 = 7,2%

DR4 = 0,9%

Drs = 0,4%

rsопт = 300 Ом / 

P1 = 50 мВт

P2 = 25 мВт

P3 = 7 мВт

P4 = 25 мВт

Конденсаторы:

С1 = 80 пф

С2 = 2200 пф

Uраб = 10 в

Со = 20 пф/мм*мм

e = 5,2

tgr = 0,002

Кз = 3

Tmax = 60 °C

Dc = 3%

Dl = 25 мкм

Выбор метода изготовления тонкопленочной ГИМС.

Исходя из данных видно, что погрешность изготовления резисторов и конденсаторов не более 10%. Для изготовления схемы усилителя мощности выбираем метод фотолитографии, т. к. этот метод дает более высокую точность изготовления ГИМС и более высокий процент выхода годных изделий при серийном и крупносерийном производстве.

Расчет конденсаторов.

1. Выбор материала диэлектрика.

Выбор материала диэлектрика производят по таблице 3, исходя из

исходных данных.

Для C1 – электровакуумное стекло C 41 - 1.

Для C2 – электровакуумное стекло C 41 - 1.

Материалом обкладок для этих конденсаторов будет Al.

2. Определение уточненной толщины диэлектрика.

d=0,0885*e/Co

d=0,02301 мм

3. Определение площади перекрытия обкладок конденсаторов.

S=C/Co*Кз

SС1=20 мм*мм

SС2=550 мм*мм

4. Определение размеров обкладок конденсаторов.

Размеры верхних обкладок конденсаторов будут равны:

__

lв.о.= bв.о.=ÖS

lв.о.С1= bв.о.С1=4,472 мм

lв.о.С2= bв.о.С2=23,452 мм

Размеры нижних обкладок конденсаторов, с учетом допусков на

перекрытие, будут равны:

lн.о.=bн.о.= lв.о.+2(Dl+g)

lн.о.С1=bн.о.С1=4,922 мм

lн.о.С2=bн.о.С2=23,902 мм

5. Определение размеров межслойного диэлектрика.

lд/э= bд/э =lн.о.+ 2(Dl+f)

lд/э С1=bд/э С1=5,372 мм

lд/э С2=bд/э С2=24,352 мм

6. Определение площади, занимаемой конденсаторами, по размерам диэлектрика.

S = lд/э* bд/э

SС1= 28,858 мм*мм

SС2 = 593.0199 мм*мм

Расчет резисторов.

1. Выбор материала резистивной пленки.

Для R1 -нихром X20H80.

Для R2 -нихром X20H80.

Для R3 -нихром X20H80.

Для R2 - нихром X20H80.

Проверим, правильно ли выбран материал резистивного слоя.

Dф= DR/R*100 - Drs/rs*100;

Dф1 = 0,3212

Dф2 = 0,0542

Dф3 = 0,0267

Dф4 = 0,6167

Резистивный материал выбран верно т.к. Dф1; D ф 2; D ф 3; D ф 4 > 0

Вкачестве материала контактных площадок используем Cu.

2. Определение коэффициента формы резисторов.

Коэффициент формы определяется по формуле: Kф=;

Кф1 = 7,3

Кф2 = 1,6

Кф3 = 15

Кф4 = 0,4

3. Определение конструкции резисторов по величине коэффициента формы.

Для R1 - Форма прямоугольная, т.к. 1 £ Кф£ 10

Для R2 - Форма прямоугольная, т.к. 1 £ Кф£ 10

Для R3 - Форма составной меандр, т.к. 10 £ Кф £ 50

Для R4 - Форма прямоугольная, т.к. Кф < 1, но получается, что

ширина > длины

4. Определение ширины резисторов.

Рассчёт точной ширины резисторов производится по формуле:

bточн=(Dl/Кф+Db)/Dф;

Рассчёт ширины резисторов с учетом их мощности:

bр=;


Для R1 - bр = 0,58 мм

Для R2 - bр = 0,88 мм

Для R3 - bр = 0,15 мм

Для R4 - bр = 1,76 мм

Для R1 - bточн = 0,8849 мм

Для R2 - bточн = 4,9 мм

Для R3 - bточн = 9,9875 мм

Для R4 - bточн = 1,4188 мм


Выбираем из всех значений ширины сопротивления максимальное

значение:

R1 max [ bтехн=0.1мм bточн=0,88 мм bp=0,58 мм] b1=0,88 мм

R2 max [ bтехн=0.1мм bточн=4,9 мм bp=0,88 мм] b2=4,9 мм

R3 max [ bтехн=0.1мм bточн=9,98 мм bp=0,15 мм] b3=9,98 мм

R4 max [ bтехн=0.1мм bточн=1,41 мм bp=1,76 мм] b4=1,76 мм

5. Расчет длины резисторов.

Расчетная длина резистора определяется как:Lрасч = b*Kф;

Полная длина резистора определяется как: Lполн = Lрасч +2h;


Lрасч R1 = 6,424 мм

Lрасч R2 = 7,84 мм

Lрасч R3 = 149,7 мм

Lрасч R4 = 0,704 мм

LполнR1 = 6,624 мм

LполнR2 = 8,04 мм

LполнR3 = 149,9 мм

LполнR4 = 0,904 мм


6. Расчет площади резисторов.

S = Lполн * b

SR1 = 5,829 мм*мм

SR2 = 39,396 мм*мм

SR3 = 1496 мм*мм

SR4 = 1,59 мм*мм

Все полученные значения резисторов приведены в таблице:

Резистор Номинал

Материал

Резистора

Размеры

b, мм

Размеры

l, мм

Размеры

S, мм*мм

Коэф.

формы

R1 2,2 кОм X20H80 0,88 6,624 5,83 7,3
R2 480 Ом X20H80 4,9 8,04 39,39 1,6
R3 4,5 кОм X20H80 9,98 149,9 1496 15
R4 120 Ом X20H80 1,76 0,904 1,59 0,4

Расчет площади поверхности.

1. Площадь подложки расчитывается по формуле:

Sподл.= KS;

SåR = R1+R2+R3+R4

SåR = 1542,81 мм*мм

SåC = C1+C2

SåC = 621,87 мм*мм

SåКП = 48 мм*мм

SåН.Э.= 120 мм*мм

При KS = 2 получается:

Sподл.= 2332,68 мм*мм

Sфакт.подл.= 45 * 52 = 2340 мм*мм

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений21:31:22 18 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
15:06:33 24 ноября 2015
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
14:13:11 24 ноября 2015

Работы, похожие на Реферат: Расчет и проектирование в тонкопленочном исполнении усилителя мощности

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(150347)
Комментарии (1830)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru