Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Конструирование микросхемы, разработка топологии

Название: Конструирование микросхемы, разработка топологии
Раздел: Рефераты по технологии
Тип: реферат Добавлен 04:17:17 15 октября 2005 Похожие работы
Просмотров: 83 Комментариев: 2 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

I. Анализ электрической схемы

Расчёт мощностей рассеяния Pi

Для упрощения расчётов Pi резисторов R4 , R5 , R8 , R9 , R10 , R12 и R19 преобра­зу­ем выделенную часть схемы рис.1 (только те ветви, на которых находятся вышеуказанные резисторы) в эквивалентную (рис.2). Рассчитываем токи в контурах эк­ви­валентной схемы рис.2 методом контур­ных токов.

I111 (R4 +R19 +R8 +R12 )-I222 (R19 +R12 )-I444 R4 =0

I222 (R19 +R12 +R10 )-I111 (R19 +R12 )-I333 R10 =0

I333 (R10 +R5 +R9 )-I222 R10 -I444 R5 =0

I444 (R4 +R5 )-I111 R4 -I333 R5 =E


= 111059850000 – 49237209000 – 11055924000 = 50766717000


= 345450 + 16405950 = 16751400 ;

I111 = = 0,000329968 A



= 775500 + 16250850 = 17026350 ;

I222 = = 0,000335384 A

= 25030500 – 10804500 + 11399850 = 25625850 ;

I333 = = 0,00050478 A


= 164059500 – 72390150 = 91669350 ;

I444 = = 0,0018057 A

Зная контурные токи, мы можем рассчитать:

I4 = I444 – I111 = 0,0018057 - 0,000329968 = 0,001475732 A

I5 = I444 – I333 = 0,0018057 - 0,00050478 = 0,00130092 A

I8 = I111 = 0,000329968 A

I9 = I333 = 0,00050478 A
I10 = I333 – I222 = 0,00050478 - 0,000335384 = 0,000169396 A
I12 = I1 9 = I222 – I111 = 0,000335384 - 0,000329968 = 0,000005416 A

Теперь рассчитываем токи на остальных резисторах:



Для расчёта тока на резисторах R11 , R13 и R14 представимконденсатор на 9-ом выводе как резистор с самым большим сопротивлением, которое только имеем на схеме УПЧ и схеме его включения (Rдобавочное =22000+22000=44000 Om см. паспорт МС), т.е.:



Для более точного подсчёта I15 – I18 подробнее рассмотрим транзистор V1:


где b - коэффициент передачи тока (bКТ31 7 А @70)




II. Разработка маршрутного технологического процесса изготовления микросхемы.

Наиболее простым способом формирования рисунка микросхемы является напыление элементов через свободные маски. Если при этом зазор между маской и подложкой отсутствует, линейные размеры элементов строго соответствуют размерам щелей в маске (метод контактной маски). Наличие зазора между под­ложкой и маской, устранить который полностью невозможно, приводит к образо­ванию «зоны размытости» рисунка. Причём размер этой зоны, как показывает практика, увеличивается с ростом толщины маски и клинообразности профиля её вырезов. С уменьшением же толщины снижается жёсткость маски и увеличивает­ся её «провисание» над подложкой, что, в свою очередь, также приводит к росту зоны размытости.

Напыление резистивных и проводниковых плёнок выполняется в одной вакуумной камере в непрерывном процессе. Для сублимации применяют резистивный испаритель, покрытый гальваническим слоем сублимируемого вещества либо стержень из спрессованного и спёченного порошка сублими­ру­емо­го вещества, а вещества, плохо взаимодействующие с тугоплавкими мате­риалами испаряют из жидкого состояния. Напыления ведут на подогретые под­ложки, температуру кото­рых регулируют изменением тока нагревателя. При достижении требуемой температуры подложек испаритель подводят на позицию испарения и подают на него напряжение. При нагреве испарителя вакуум в камере ухудшается, так как с поверхности испарителя происходит выделение газов. После окончания газовыделения и восстановления вакуума открывают заслонку и напыляют пленку сублимируемого вещества. При достижении требуемой толщины плёнки заслонку закрывают, на позицию переводят следую­щую подложку и так процесс продолжают для напыления плёнки на все подлож­ки.

Нанесение Нанесение проводников

резистивного слоя и контактных площадок


Маска


Подложка


III. Расчёт геометрических размеров плёночных элементов.

Прежде всего, для расчёта геометрических размеров резисторов нужно найти мощность P, рассеиваемую каждым резистором.Рассеиваемая мощность на резисторе находится по формуле:

(1), где i – номер элемента.

Применяя формулу (1) найдём Pi для каждого резистора (см. таблицу 1).

Так как резисторы R1 , R5 , R7 , R9 , R10 , R14 , R15 , R18 меньше 1000 Ом, то размещать их будем на другом слое.

Теперь, для того, чтобы выбрать материал, из которого будут изготав­ли­вать­ся резистивные плёнки, проводники и контактные площадки нужно найти удельное поверхностное сопротивление резистивной плёнки для каждого слоя по формуле (значения Rопт см. таблицу 1):
Зная Rопт для каждого слоя, можем выбрать материал резистивной плёнки, контактных площадок и проводников, а также температурный коэффициент сопротивления a и допустимую удельную мощность рассеяния P0 соответствую­щий выбранному материалу:

I слой : резистивная плёнка – нихром, проволока Х20Н80 (ГОСТ 12766-67)

Контактные площадки

и проводники - медь

a = 1×10-4

P0 = 2 Вт/см2

II слой : резистивная плёнка – кермет К-50С (ЕТО.021.013 ТУ)

Контактные площадки

и проводники - золото с подслоем хрома (нихрома)

a = -4×10-4

P0 = 2 Вт/см2

Зная величину каждого резистора и Rо слоя, в котором он находятся, можно найти коэффициент формы для каждого резистора данного слоя:

где Кф – коэффициент формы плёночного элемента (значения Кф см. в таб­ли­це 1).


Теперь рассчитаем погрешность коэффициента формы:


Таблица 1.

Номер

R

I P i Резистор R i 1/R i Rопт
1 0,0034543 0,008113888 R1 680 0,0014706 245,636 2,76832341
2 0,002651 0,007027801 R2 1000 0,001 4918,03 0,20333344
3 0,0008033 0,00212946 R3 3300 0,000303 4918,03 0,67100036
4 0,00147573 0,00718669 R4 3300 0,000303 4918,03 0,67100036
5 0,00130092 0,000169239 R5 100 0,01 245,636 0,40710638
6 0,00047755 0,002280587 R6 10000 0,0001 4918,03 2,03333441
7 0,00047755 0,000107188 R7 470 0,0021277 245,636 1,9134
8 0,00032997 0,001633183 R8 15000 6,667E-05 4918,03 0,20333344
9 0,00050478 2,54803E-05 R9 100 0,01 245,636 1,9134
10 0,0001694 1,34867E-05 R10 470 0,0021277 245,636 1,9134
11 3,4178E-06 1,16814E-08 R11 1000 0,001 4918,03 0,20333344
12 5,416E-06 1,37865E-07 R12 4700 0,0002128 4918,03 0,95566717
13 0,00032308 0,00156571 R13 15000 6,667E-05 4918,03 3,05000161
14 0,00032723 5,03286E-05 R14 470 0,0021277 245,636 1,9134
15 0,00100583 5,15964E-05 R15 51 0,0196078 245,636 0,20762426
16 0,00100583 0,004754962 R16 4700 0,0002128 4918,03 0,95566717
17 1,4167E-05 3,01056E-06 R17 15000 6,667E-05 4918,03 3,05000161
18 1,4167E-05 1,24436E-07 R18 620 0,0016129 245,636 2,52405958
19 5,416E-06 2,93331E-07 R19 10000 0,0001 4918,03 2,03333441

1).Для резисторов с 1 £K Ф £ 10


Рассчитываем ширину резистора :


Рассчитываем длину резисторов:


где h – длина перекрытия для плёночных элементов, расположенных в разных слоях (h ³ 0,2 мм).

2).Для резисторов с 0,1 £KФ £ 1

Рассчитываем длину резисторов:


Рассчитываем ширину резисторов:

Площадь резисторов равна:

Значения ширины, длины и площади каждого резистора см. таблицу 2.

Проверка:


1).

Таблица 2.

Номер

R

B точн /L точн Bp Bрасч L p L расчётн L полн S см Проверка P 0 ' Проверка Проверка
1 0,37293958 0,038 0,37294 1,43242 0,005 1,518871 0,033795 11,070295
2 1,09593152 5,38982 0,02673 1,09593 1,49593 0,081 0,087163 0,00854 11,06254
3 0,46116892 0,68729 0,02673 0,46117 0,86117 0,006 0,359786 0,026162 11,080162
4 0,46116892 0,68729 0,0491 0,46117 0,86117 0,006 1,214237 0,026162 11,080162
5 0,94694806 2,32605 0,00587 0,94695 1,34695 0,031 0,005402 0,011723 11,048223
6 0,27625982 0,024 0,27626 0,96173 0,003 0,858374 0,046596 11,100596
7 0,41715887 0,005 0,41716 1,19819 0,005 0,021445 0,032318 11,068818
8 1,09593152 5,38982 0,01289 1,09593 1,49593 0,081 0,020256 0,00854 11,06254
9 0,41715887 0,003 0,41716 1,19819 0,005 0,005098 0,032318 11,068818
10 0,41715887 0,002 0,41716 1,19819 0,005 0,002698 0,032318 11,068818
11 1,09593152 5,38982 3,4E-05 1,09593 1,49593 0,081 1,45E-07 0,00854 11,06254
12 0,378961 0,39654 0,00026 0,37896 0,77896 0,003 4,46E-05 0,038056 11,092056
13 0,24590161 0,016 0,2459 1,15 0,003 0,553671 0,049362 11,103362
14 0,41715887 0,004 0,41716 1,19819 0,005 0,010069 0,032318 11,068818
15 1,59353231 7,67508 0,00231 1,59353 1,99353 0,153 0,000337 0,006319 11,042819
16 0,378961 0,39654 0,04767 0,37896 0,77896 0,003 1,539372 0,038056 11,092056
17 0,24590161 7E-04 0,2459 1,15 0,003 0,001065 0,049362 11,103362
18 0,38251703 2E-04 0,38252 1,3655 0,005 2,38E-05 0,033466 11,069966
19 0,27625982 3E-04 0,27626 0,96173 0,003 0,00011 0,046596 11,100596

2).

3).


Результаты проверки см. в таблице 2.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений21:30:15 18 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
13:40:40 24 ноября 2015

Работы, похожие на Реферат: Конструирование микросхемы, разработка топологии

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(151310)
Комментарии (1844)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru