Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

Название: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: реферат Добавлен 01:31:43 09 сентября 2005 Похожие работы
Просмотров: 136 Комментариев: 2 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

УПИ – УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2

по дисциплине: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры .

Вариант № 17

Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

Работу не высылать.

УПИ – УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 2

по дисциплине: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры .

Вариант № 17

Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

Работу не высылать.

Аннотация.

Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

Исходные данные:

Тип транзистора ………………………………………………………………… ГТ310Б

Величина напряжения питания Еп ……………………………………………... 5 В

Сопротивление коллекторной нагрузки R к …………………………………… 1,6 кОм

Сопротивление нагрузки R н ……………………………………………………. 1,8 кОм

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.





Биполярный транзистор ГТ310Б.

Краткая словесная характеристика:

Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

Масса транзистора не более 0,1 г..

Электрические параметры.

Коэффициент шума при ƒ = 1,6 МГц, Uкб = 5 В, IЭ = 1 мА не более ……………. 3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала

при Uкб = 5 В, IЭ = 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц ……………………………….. 60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H21 э

при Uкб = 5 В, IЭ = 5 мА, ƒ = 20 МГц не менее …………………………... 8

Постоянная времени цепи обратной связи

при Uкб = 5 В, IЭ = 5 мА, ƒ = 5 МГц не более ………………………….… 300 пс

Входное сопротивление в схеме с общей базой

при Uкб = 5 В, IЭ = 1 мА …………………………………………………… 38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой

при Uкб = 5 В, IЭ = 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц не более …………………….. 3 мкСм

Ёмкость коллектора при Uкб = 5 В, ƒ = 5 МГц не более ………………………… 4 пФ

Предельные эксплуатационные данные.

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:

при Rбэ = 10 кОм ……………….………………………………………… 10 В

при Rбэ = 200 кОм ……………….……………………………………….. 6 В

Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………... 12 В

Постоянный ток коллектора ……………………………………………………… 10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………... 20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………... 2 К/мВт

Температура перехода ……………………………………………………………. 348 К

Температура окружающей среды ………………………………………………... От 233 до

328 К

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328 К определяется по формуле:

PК.макс = ( 348 – Т )/ 2


Входные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :

Iб , мк А

200

160

120

80

40

0

0,05

0,1

0,15

0,2

0,25

0,3

0,35

Uбэ

Выходные характеристики.

Для температуры Т = 293 К :


Iк ,

мА

9

8

7

6

5

4

3

2

1

0

1

2

3

4

5

6

Uкэ


Нагрузочная прямая по постоянному току.


Уравнение нагрузочной прямой по постоянному току для схемы включения с общим эмиттером:

Построим нагрузочную прямую по двум точкам:

при Iк = 0, Uкэ = Еп = 9 В, и при Uкэ = 0, Iк = Еп / Rк = 9 / 1600 = 5,6 мА

Iк ,

мА

6

5

4

А

3

Iк 0

2

1

0

1

2

3

4

5

Uкэ 0

6

7

8

9

Еп

Uкэ

Iб , мк А

50

40

30

Iб0

20

10

0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

Параметры режима покоя (рабочей точки А ):

Iк0 = 3 мА, Uкэ0 = 4,2 В, Iб0 = 30 мкА, Uбэ0 = 0,28 В


Величина сопротивления Rб :

Определим H–параметры в рабочей точке.

Iк ,

мА

6

5

4

Δ Iк 0

3

Δ Iк

2

1

0

1

2

3

4

5

Uкэ 0

6

7

8

9

Еп

Uкэ

Δ Uкэ


Iб , мк А

50

40

Δ Iб

30

Iб0

20

10

0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

Δ Uбэ


Δ Iк 0 = 1,1 мА, Δ Iб 0 = 10 мкА, Δ Uбэ = 0,014 В , Δ Iб = 20 мкА, Δ Uкэ = 4 В, Δ Iк = 0,3 мА


H -параметры:

Определим G – параметры.

Величины G -параметров в рабочей точке определим путём пересчёта матриц:


G -параметр:

G11 э = 1,4 мСм, G12 э = - 0,4*10 –6

G21 э = 0,15 , G22 э = 4,1*10 –3 Ом

Определим величины эквивалентной схемы биполярного транзистора.


Схема Джиаколетто – физическая малосигнальная высокочастотная эквивалентная схема биполярного транзистора:

Величины элементов физической эквивалентной схемы транзистора и собственная постоянная времени транзистора определяются соотношениями (упрощёнными):

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна:


Определим граничные и предельные частоты транзистора.


Граничная частота коэффициента передачи тока:

Предельная частота коэффициента передачи тока базы в схеме с общим эммитером:

Максимальная частота генерации:

Предельная частота коэффициента передачи тока эммитера в схеме с общим эммитером:

Предельная частота проводимости прямой передачи:



Определим сопротивление нагрузки транзистора и построим нагрузочную прямую.

Сопротивление нагрузки транзистора по переменному току:


Нагрузочная прямая по переменному току проходит через точку режима покоя

Iк0 = 3 мА, Uкэ0 = 4,2 В и точку с координатами:

Iк = 0, Uкэ = Uкэ0 + Iк0 * R~ = 4,2 + 3*10 –3 * 847 = 6,7 В

Iк ,

мА

6

5

4

А

3

Iк 0

2

1

0

1

2

3

4

5

Uкэ 0

6

7

8

9

Еп

Uкэ


Определим динамические коэффициенты усиления.


Iк ,

мА

6

5

А

4

Δ Iк

3

Iк 0

2

1

0

1

2

3

4

5

Uкэ 0

6

7

8

9

Еп

Uкэ

Δ Uкэ


Iб , мк А

50

40

Δ Iб

30

Iб0

20

10

0

0,15

0,17

0,19

0,21

0,23

0,25

0,27

0,29

Uбэ0

0,31

Uбэ

Δ Uбэ


Δ Iк = 2,2 мА, Δ Uкэ = 1,9 В, Δ Iб = 20 мкА, Δ Uбэ = 0,014 В


Динамические коэффициенты усиления по току К I и напряжению К U определяются соотношениями:

Выводы:

Данная работа активизировала самостоятельную работу, развила умение

выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых транзисторов, дала разностороннее представление о конкретных электронных элементах.


Библиографический список.

1) “Электронные приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

2) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1980г.

3) Батушев В.А. “ Электронные приборы: учебник для вузов”; М.: Высш.шк., 1969г.

4) Справочник “ Полупроводниковые приборы: транзисторы”; М.: Энергоатомиздат, 1985г..

5) Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам; М.: Энергия, 1976г..

6) Справочник “ Транзисторы для аппаратуры широкого применения ”; М.: Радио и связь, 1981г..

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений22:27:36 18 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
13:33:25 24 ноября 2015

Работы, похожие на Реферат: Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(150655)
Комментарии (1838)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru