Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Расчет полевого транзистора

Название: Расчет полевого транзистора
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: реферат Добавлен 02:23:34 20 июля 2005 Похожие работы
Просмотров: 505 Комментариев: 2 Оценило: 1 человек Средний балл: 2 Оценка: неизвестно     Скачать

1 Расчет входной и выходной характеристики транзистора с использованием модели Молла – Эберса.


1.1 Расчет и построение выходных характеристик транзистора


Исходные данные:


  • q = 1,6*10 –19 Кл – заряд электрона;

  • ni = 1,5*1010 см –3 – концентрация, при температуре 300 К;

  • А = 1*10 –6 см2 – площадь p-n перехода;

  • Дnк = 34 см2/с – коэффициент диффузии электронов в коллекторной области;

  • Дрб = 13 см2/с – коэффициент диффузии дырок в базовой области;

  • Ln = 4.1*10 –4 м – диффузионная длина электрона;

  • UТ = 25,8 мВ – температурный потенциал при температуре 300 К;

  • Wб = 4,9 мм – ширина базовой области;

  • Nдб = 1,1*1016 см –3 – донорная концентрация в базовой области;

  • Nак = 3*1017 см –3 – акцепторная концентрация в коллекторной области;


(1.1)


UЭ – const


-UК = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5;


Находим значение IК , затем меняя UЭ , при тех же значениях UК находим значения тока.


Таблица 1.1 – Значения IК при разных значениях UЭ


IК при UЭ = 0 В

IК при UЭ =0.005 В

IК при UЭ = 0.01 В

IК при UЭ =0.015 В

IК при UЭ = 0.02 В

0 0 0 0 0
8.429e-3 5.598e-3 0.021 0.029 0.039
0.023 0.014 0.035 0.043 0.053
6.749 0.028 0.038 0.046 0.056
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057

По полученным данным построим график зависимости представленный на рисунке 1.1



Рисунок 1.1 – Выходная характеристика транзистора


1.2 Расчет и построение входных характеристик транзистора


(1.2)


UЭ = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09


UК – const


Таблица 1.2 – Значения тока эмиттера при различных значениях UЭ


IЭ при UК = 0 В

IЭ при UК = -  В

IЭ при UК = 0.03 В

0 -0.026 0.057
-0.012 -0.039 0.045
-0.031 -0.057 0.027

Продолжение таблицы 1.2


-0.057 -0.084 -3.552e-10
-0.097 -0.123 -0.039
-0.154 -0.181 -0.097
-0.239 -0.265 -0.182
-0.363 -0.390 -0.306
-0.546 -0.573 -0.489
-0.815 -0.841

-0.758


Для построения входной характеристики нужны значения тока базы


IБ = -(IЭ + IК ) (1.3)


Таблица 1.3 – Значения тока базы


IБ [мА]

0 0.021 -0.070

3.954e-3

0.025 -0.066
8.033e-3 0.029 -0.062
0.031 0.052 -0.038
0.070 0.091 4.754e-4
0.128 0.149 0.058
0.213 0.233 0.143
0.337 0.358 0.267
0.520 0.541 0.450
0.788 0.809 0.719

По значениям токов и напряжений построим зависимость тока базы от напряжения UБЭ представленную на рисунке 1.2.



Рисунок 1.2 – Входные характеристики транзистора


2 Расчет концентрации не основных носителей


Исходные данные:

  • Wе = 3,0 мм – ширина эмиттерной области;

  • Wб = 4,9 мкм – ширина базовой области;

  • Wк = 5,1 мм – ширина коллекторной области;

  • Х = 10 мм


2.1 В эмиттерной области:



где UЭ = 0,005B



Рисунок 2.1 – График распределения концентрации от координат в эмиттерной области


2.2 В базовой области:



UЭ = 0.005 В; UК = 1.4 В.


Рисунок 2.2 – График распределения концентрации в базовой области


В эмиттерной области:


UК = 1.4 В


Рисунок 2.3 – График концентрации в коллекторной области


3 Расчет эффективности эмиттера


UЭ = 0,2 В; UК = 0,1 В


4 Коэффициент переноса тока через базу




5 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОБ



где М – коэффициент умножения тока коллектора







6 Статический коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ



7 Расчет барьерной емкости коллекторного перехода




где U0 – пороговое напряжение перехода




8 Расчет h – параметров


Для вычисления h – параметров используем характеристики транзистора полученные с использованием модели Молла – Эберса.



Рисунок 8.1 – Выходные характеристики транзистора


UКЭ =EK – IKRH,


EK = IKRH + UКЭ,


ЕК = 0,057*10+(-5)=4,43


Рисунок 8.2 – Входные характеристики транзистора



Воспользуемся формулами связи между параметрами транзистора при различных включениях.



9 Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода



10 Расчет дифферинцеальной емкости эмиттерного перехода



11 Расчет эффекта Эрли


При UЭ = const, концентрация носителей в базовой области становится функцией коллекторного напряжения:

UK

0

0.2

0.4

0.8

1.2

1.4


Рисунок 11.1 – Зависимости концентраций в базовой области:

1 – в зависимости от ширины базы, 2 – как функция от приложенного UK


12 Расчет и построение ФЧХ и АЧХ

12.1 ФЧХ

 изменяем 0 – 1000 Гц

0

0.1

10

100

200

500

1000

-0.42

-5.465

-21.465

-62.34

-80

-85.2

Рисунок 12.1 – ФЧХ

12.2 АЧХ

При использовании тех же частот

Рисунок 12.1 - АЧХ


СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ


1 Л. Росадо «Физическая электроника и микроэлектроника» М.: Высш. шк., 1991.-351 с. с ил.

2 И.П. Степаненко «Основы теории транзисторов и транзисторных схем» изд. 3-е, перераб. и доп. М., «Энергия», 1973.-608с. с ил.

3 Б.С. Гершунский «Основы электроника» Киев, «Высшая школа», 1977, 344с.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений22:25:48 18 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
13:32:24 24 ноября 2015

Работы, похожие на Реферат: Расчет полевого транзистора

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(150781)
Комментарии (1840)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru