Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

Название: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: реферат Добавлен 06:47:23 12 сентября 2005 Похожие работы
Просмотров: 179 Комментариев: 2 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

Министерство образования РФ

Южно-Российский Государственный Технический Университет (НПИ)

ФАКУЛЬТЕТ ИТУ _

КАФЕДРА А и Т _

СПЕЦИАЛЬНОСТЬ Электроника _

Пояснительная записка

к курсовой работе

по дисциплине Методы анализа и расчёта электронных схем

на тему Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

Выполнил студент III курса, группы 1б Евченко С. Е. __

(Ф.И.О.)

Принял ________________ _____ Савёлов Н. С. ___ _

(Ф.И.О.)

НОВОЧЕРКАССК 2001


Содер жание

Введение

1. Проблема математического моделирования биполярных транзисторов

2. Описание изучаемого алгоритма

3. Описание программы

4. Решение контрольной задачи

5. Моделирование электронных устройств

Заключение

Введение

Развитие вычислительной техники и повышение требований к развиваемой электронной аппаратуре выдвинули на первый план создание систем автоматического проектирования.

До начала шестидесятых годов вычислительные методы использовались при анализе и проектировании цепей крайне незначительно. Квалифицированный инженер мог синтезировать простые цепи, пользуясь минимумом вычислений. Он создавал макет схемы, производил измерения и различные модификации и в результате получал конечный вариант цепи.

В следующем времени ситуация сильно изменилась. Появились интегральные схемы и стали доступными ЭВМ. Оба эти обстоятельства повлияли друг на друга. Интегральные схемы сделали возможным производство более совершенных ЭВМ, а те в свою очередь облегчили проектирование новых интегральных схем. Несомненно, что в этой связи вычислительные методы стали иметь огромное значение.

Технический прогресс сделал возможным проектирование больших функциональных блоков, содержащих в одной схеме тысячи взаимосвязанных транзисторов. Разработка таких схем стала невозможна при экспериментальной отладке на макете.

Достоверное моделирование различных полупроводниковых приборов достаточно критично. Проблема моделирования полупроводниковых приборов требует знания физики полупроводников. Но если специалист в области физики полупроводников может предоставить необходимые уравнения специалисту в области САПР, то последнему остаётся ввести их в свои программы. При этом в значительной степени устраняются трудности, связанные с физикой работы прибора.

Если в уравнения, описывающие схему, введены нелинейные модели компонентов, то решить эти уравнения становится достаточно сложно. При этом в программах САПРа затраты машинного времени на определение нелинейных функций, описывающих различные полупроводниковые приборы составляют значительную часть общих затрат времени.

1. Проблема математического моделирования биполярных транзисторов

Под моделированием понимается описание электрических свойств полупроводникового устройства или группы таких устройств, связанных между собой, с помощью математических уравнений, эквивалентных схем или таблиц.

Термин “биполярный транзистор” связан с тем, что в нём используются носители заряда двух видов: электроны и дырки. Слово “транзистор” (от англ. transfer resistor) означает, что этот прибор согласует низкоомную цепь эмиттера с высокоомной цепью коллектора.

При описании сложных устройств и многомерных систем используются их выходные характеристики, на основе которых создаются макромодели. Модели, определяющие электрические свойства, используются для точного анализа.

При математическом моделировании главными проблемами являются:

- отсутствие математических зависимостей, точно описывающих реальные биполярные транзисторы.

-из-за увеличения параметров, описывающих математическую модель, усложняются и формулы, по которым производится моделирование.

Это, в свою очередь, приводит к потребности от компьютера всё больше его ресурсов и всё больше времени на решение конкретных задач. Полученные требования реально ограничивают возможность использования сложных формул.

На практике, в зависимости оп поставленной задачи, применяются математические модели разной сложности. Так в программах обучающего типа используются модели, описывающие только основные параметры. Такие как:

- зависимости токов от напряжений;

- зависимость токов от температуры;

- зависимость барьерных ёмкостей от напряжений, приложенных к переходам;

- зависимость диффузионных ёмкостей от токов, проходящих через переходы.

В программах, предназначенных для моделирования сложных реальных схем, используются более сложные математические зависимости.

Реальные транзисторы имеют определённый разброс своих характеристик. Это приходится учитывать при моделировании для получения требуемого результата.

Каждый вид транзистора, выпускаемый на заводах, имеет набор параметров и характеристик, описанных в паспортных данных. На данный момент времени количество таких параметров достигает сотни. При математическом моделировании не всегда возможно все их учесть, а принимаются по умолчанию некоторые средние значения, которые относительно точно отражают физические характеристики. Эти допущения не всегда точно моделируют реальные биполярные транзисторы.

2. Описание изучаемого алгоритма

Биполярный транзистор состоит из двух взаимодействующих p-n перехода, созданных в объёме монокристалла кремния или германия. В зависимости от характера примесей в этих областях принято различать транзисторы типа p-n-p и n-p-n.

Модель Эберса - Молла применима при моделировании по постоянному току.

Э

Uэк

Б

К

Рис. 1. Биполярный транзистор

эмиттер

DBE .

RБ . CCS

база

DBC . RC П - подложка

коллектор

Рис. 2. Модель Эберса – Молла.

1) расчёт температурного потенциала.

;

- постоянная Больцмана;

Кл - элементарный заряд.

T - текущая температура в Кельвинах.

2) расчёт тока насыщения, зависящего от температуры и

напряжения между эмиттером и коллектором.

iso - ток насыщения при TNOM;

VA – напряжение Эрли;

EG – ширина запрещённой зоны;

TNOM – номинальная температура в Кельвинах.

3) определения величины IС и UС - ток и напряжение на диоде при переходе на линейный участок.

; ;

RJ – минимальное дифференциальное сопротивление перехода;

4) перевод температурного коэффициента в систему С.

TCB (в системе С) = TCB*10-6 (в PPM) .

5) поправка коэффициентов передачи по току в схеме с ОЭ на температуру.

BF (исправленное) = BF * (1 + (T-TNOM) * TCB;

BR (исправленное) = BR * (1 + (T-TNOM) * TCB.

BF – коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ для нормального включения.

BR – коэффициент передачи по току в схеме с ОЭ для инверсного включения.

6) Математическое описание зависимости тока диода DBE от напряжения на

нем.

при ;

при ;

д) Математическое описание зависимости тока диода DBC от напряжения на

нем.

при ;

при ;

e) математическое описание управляемого источника тока.

.

ж) расчёт токов коллектора и эмиттера;

ik = iу - iкб ; iэ = iу + iэб ;

и) расчёт барьерной емкости перехода ЭБ;.

при ;

при ;

CJEO – барьерная емкость перехода ЭБ при нулевом смещении;

VJE – контактная разность потенциалов для переходов ЭБ;

MJE – показатель степени в выражении для барьерной емкости.

к) расчёт диффузионной емкости перехода ЭБ.

при >0;

TAUF – среднее время пролета носителей через базу в нормальном режиме.

л) расчёт емкости CBE .

CBE = CJE+CDE ;

м) расчёт барьерной емкости перехода КБ.

при ;

при ;

CJCO – барьерная емкость перехода КБ при нулевом смещении;

VJC – контактная разность для переходов КБ;

MJC – показатель степени в выражении для барьерной емкости.

н) расчёт диффузионной емкости перехода КБ.

при >0;

CDC = 0 при 0;

TAUR – среднее время пролета носителей через базу в инверсном режиме.

о) расчёт емкости CBC.

CBC= CJC+CDC;

3. Описание программы

Program bipolar;

uses {wincrt,windos}crt,dos,graph;

Label 1;

var

t1,t2,t3,t4,

Uc, Uccs, Ucb, Uec, Ueb, VA, VJC, VJE,

Is0, Is, Ieb, Icb ,Ib ,Ic, Iy,Ik,Ie,

CJC0, CJE0, CBE, CJE, CDE, CBC, CJC, CDC,

RB,RC,RJ,

T, TNOM, TCB,

Kyf,a,BF, BR, EG, TAUF, TAUR, MJC, MJE, CCS, K, FIt, q,expon: extended;

ii,col,row:integer; { extended 3.4e-4932..1.1e4932}

an,key:char;

function st(a:extended; b:extended):extended;

begin

if b<0 then

begin

if (-1*b * ln(a)) < 1.1356523e4 then

begin

st:=1/ (exp((-1*b) * ln(a)));

end

else st:= 1;

end

else

begin

if (b * ln(a)) > 1.1356523e4 then

begin

st:=1e4000;

end

else

begin

st:=exp((b) * ln(a));

end;

end;

end;

Procedure Model(Ueb,Ucb:extended;var Ieb,Icb,Ib,Iy:extended);

Begin

If Ueb > Uc then Ieb := 1 / BF * (Ic+ (Ueb - Uc) / RJ )

else Ieb :=1 / BF * Is * (st(expon,Ueb / FIt) -1);

If Ucb > Uc then Icb:= 1/BR * (Ic + (Ucb-Uc)/RJ)

else Icb:= 1/BR * Is* (st(expon, Ucb/FIt)-1);

Ib:= Ieb + Icb;

Iy:= Ieb*BF - Icb*BR;

end;

procedure InputTrans;

Label 1,2,3;

begin

clrscr;

BF:=75;

BR:= 0.3;

TCB:=2500;

Is0:=3.5e-15;

EG:=1.11;

CJC0:=4e-12;

CJE0:=1.2e-12;

RB:=67;

RC:=7.3;

VA:=102;

TAUF:=9.4e-11;

TAUR:=6.692e-8;

MJC:=0.33;

VJC:=0.65;

MJE:=0.69;

VJE:=0.69;

CCS:=1e-12;

RJ:=0.01;

writeln(' It is default parameters of transistor KT316B (Y/N) ');

gotoxy(col+3,row+3);

write('[Forward beta] ');

gotoxy(col+39,row+3);

write(BF);

gotoxy(col+3,row+4);

write('[Revers beta] ');

gotoxy(col+39,row+4);

write(BR);

gotoxy(col+3,row+5);

write('[Temp. coef. of BETTA (PPM)] ');

gotoxy(col+39,row+5);

write(TCB);

gotoxy(col+3,row+6);

write('[Saturation Current] ');

gotoxy(col+39,row+6);

write(Is0);

gotoxy(col+3,row+7);

write('[Energy gap (0.6 to 1.3)] ');

gotoxy(col+39,row+7);

write(EG);

EG:=EG*1.6e-19;

gotoxy(col+3,row+8);

write('[CJC0] ');

gotoxy(col+39,row+8);

write(CJC0);

gotoxy(col+3,row+9);

write('[CJE0] ');

gotoxy(col+39,row+9);

write(CJE0);

gotoxy(col+3,row+10);

write('[Base resistance] ');

gotoxy(col+39,row+10);

write(RB);

gotoxy(col+3,row+11);

write('[Collector resistance] ');

gotoxy(col+39,row+11);

write(RC);

gotoxy(col+3,row+12);

write('[Early Valtage] ');

gotoxy(col+39,row+12);

write(VA);

gotoxy(col+3,row+13);

write('[TAU forward] ');

gotoxy(col+39,row+13);

write(TAUF);

gotoxy(col+3,row+14);

write('[TAU reverse] ');

gotoxy(col+39,row+14);

write(TAUR);

gotoxy(col+3,row+15);

write('[MJC] ');

gotoxy(col+39,row+15);

write(MJC);

gotoxy(col+3,row+16);

write('[VJC] ');

gotoxy(col+39,row+16);

write(VJC);

gotoxy(col+3,row+17);

write('[MJE] ');

gotoxy(col+39,row+17);

write(MJE);

gotoxy(col+3,row+18);

write('[VJE] ');

gotoxy(col+39,row+18);

write(VJE);

gotoxy(col+3,row+19);

write('[CSUB] ');

gotoxy(col+39,row+19);

write(CCS);

gotoxy(col+3,row+20);

write('[Minimum junction resistance] ');

gotoxy(col+39,row+20);

write(RJ);

gotoxy(col+6,row+25);

write('Accept parameters of transistor (Y/N) ');

an:=readkey;

case an of 'y': goto 3;

'Y': goto 3;

'n': goto 2;

'N': goto 2;

else

begin

sound(500);

delay(1000);

nosound;

goto 1;

end;

end;

2: clrscr;

gotoxy(col+25,row+1);

write('Input next parameters of transistor');

gotoxy(col+3,row+3);

write('[Forward beta] ');

gotoxy(col+40,row+3);

read(BF);

gotoxy(col+39,row+3);

write(BF);

gotoxy(col+3,row+4);

write('[Revers beta] ');

gotoxy(col+40,row+4);

read(BR);

gotoxy(col+39,row+4);

write(BR);

gotoxy(col+3,row+5);

write('[Temp. coef. of BETTA (PPM)] ');

gotoxy(col+40,row+5);

read(TCB);

gotoxy(col+39,row+5);

write(TCB);

gotoxy(col+3,row+6);

write('[Saturation Current] ');

gotoxy(col+40,row+6);

read(Is0);

gotoxy(col+39,row+6);

write(Is0);

gotoxy(col+3,row+7);

write('[Energy gap (0.6 to 1.3)] ');

gotoxy(col+40,row+7);

read(EG);

gotoxy(col+39,row+7);

write(EG);

gotoxy(col+3,row+8);

write('[CJC0] ');

gotoxy(col+40,row+8);

read(CJC0);

gotoxy(col+39,row+8);

write(CJC0);

gotoxy(col+3,row+9);

write('[CJE0] ');

gotoxy(col+40,row+9);

read(CJE0);

gotoxy(col+39,row+9);

write(CJE0);

gotoxy(col+3,row+10);

write('[Base resistance] ');

gotoxy(col+40,row+10);

read(RB);

gotoxy(col+39,row+10);

write(RB);

gotoxy(col+3,row+11);

write('[Collector resistance] ');

gotoxy(col+40,row+11);

read(RC);

gotoxy(col+39,row+11);

write(RC);

gotoxy(col+3,row+12);

write('[Early Valtage] ');

gotoxy(col+40,row+12);

read(VA);

gotoxy(col+39,row+12);

write(VA);

gotoxy(col+3,row+13);

write('[TAU forward] ');

gotoxy(col+40,row+13);

read(TAUF);

gotoxy(col+39,row+13);

write(TAUF);

gotoxy(col+3,row+14);

write('[TAU reverse] ');

gotoxy(col+40,row+14);

read(TAUR);

gotoxy(col+39,row+14);

write(TAUR);

gotoxy(col+3,row+15);

write('[MJC] ');

gotoxy(col+40,row+15);

read(MJC);

gotoxy(col+39,row+15);

write(MJC);

gotoxy(col+3,row+16);

write('[VJC] ');

gotoxy(col+40,row+16);

read(VJC);

gotoxy(col+39,row+16);

write(VJC);

gotoxy(col+3,row+17);

write('[MJE] ');

gotoxy(col+40,row+17);

read(MJE);

gotoxy(col+39,row+17);

write(MJE);

gotoxy(col+3,row+18);

write('[VJE] ');

gotoxy(col+40,row+18);

read(VJE);

gotoxy(col+39,row+18);

write(VJE);

gotoxy(col+3,row+19);

write('[CSUB] ');

gotoxy(col+40,row+19);

read(CCS);

gotoxy(col+39,row+19);

write(CCS);

gotoxy(col+3,row+20);

write('[Minimum junction resistance] ');

gotoxy(col+40,row+20);

read(RJ);

gotoxy(col+39,row+20);

write(RJ);

writeln;

1: gotoxy(col+6,row+25);

write('Accept parameters of transistor (Y/N) ');

an:=readkey;

case an of 'y': goto 3;

'Y': goto 3;

'n': goto 2;

'N': goto 2;

else

begin

sound(500);

delay(1000);

nosound;

goto 1;

end;

end;

3:;

end;

Procedure InputCurrent;

Label 1,2,3;

begin

clrscr;

TNOM:=27;

T:=21;

Ueb:=0.8;

Uec:=2;

Ucb:=-1.2;

gotoxy(col+25,row+1);

write(' Default parameters');

gotoxy(col+3,row+3);

write('[Nominal temperature (C)] ');

gotoxy(col+39,row+3);

write(TNOM);

gotoxy(col+3,row+4);

write('[Current temperature (C)] ');

gotoxy(col+39,row+4);

write(T);

gotoxy(col+3,row+5);

write('[Emitter-Base voltage] ');

gotoxy(col+39,row+5);

write(Ueb);

gotoxy(col+3,row+6);

write('[Emitter-Collector voltage] ');

gotoxy(col+39,row+6);

write(Uec);

gotoxy(col+3,row+7);

write('[Collector-Base voltage] ');

gotoxy(col+39,row+7);

write(Ucb);

1: gotoxy(col+6,row+25);

write('Accept current parameters (Y/N) ');

an:=readkey;

case an of 'y': goto 3;

'Y': goto 3;

'n': goto 2;

'N': goto 2;

else

begin

sound(500);

delay(1000);

nosound;

goto 1;

end;

end;

2: clrscr;

gotoxy(col+20,row+2);

write('Input next current parameters');

gotoxy(col+3,row+3);

write('[Nominal temperature (C)] ');

gotoxy(col+40,row+3);

read(TNOM);

gotoxy(col+39,row+3);

write(TNOM);

gotoxy(col+3,row+4);

write('[Current temperature (C)] ');

gotoxy(col+40,row+4);

read(T);

gotoxy(col+39,row+4);

write(T);

gotoxy(col+3,row+5);

write('[Emitter-Base voltage] ');

gotoxy(col+40,row+5);

read(Ueb);

gotoxy(col+39,row+5);

write(Ueb);

gotoxy(col+3,row+6);

write('[Emitter-Collector voltage] ');

gotoxy(col+40,row+6);

read(Uec);

gotoxy(col+39,row+6);

write(Uec);

if (Ueb = 0) or (Uec = 0) then

begin

gotoxy(col+3,row+7);

write('[Collector-Base voltage] ');

gotoxy(col+40,row+7);

read(Ucb);

gotoxy(col+39,row+7);

write(Ucb);

if Uec <> 0 then

begin

Ueb := Uec + Ucb;

gotoxy(col+39,row+5);

write(Ueb);

end

else

begin

Uec := Ueb - Ucb;

gotoxy(col+39,row+6);

write(Uec);

end;

goto 1;

end;

Ucb := -(Uec - Ueb);

gotoxy(col+3,row+7);

write('[Collector-Base voltage] ');

gotoxy(col+39,row+7);

write(Ucb);

3: TNOM:=TNOM+273.15;

T:=T+273.15;

BF:=BF*(1+(T-TNOM)*TCB*10e-6);

BR:=BR*(1+(T-TNOM)*TCB*10e-6);

gotoxy(col+39,row+8);

end;

procedure OutputResult;

begin

clrscr;

writeln(' It is result ');

K:=1.38e-23;

q:=1.6e-19;

expon:=exp(1.0);

FIt:=K*T/q;

gotoxy(col+3,row+3);

write('[FIt] ');

gotoxy(col+39,row+3);

write(FIt);

Is:=Is0 * (1+ Uec/VA) * st(T/TNOM,3) * st(expon,-EG/K*(1/T-1/TNOM));

gotoxy(col+3,row+4);

write('[Is]');

gotoxy(col+39,row+4);

write(Is);

Uc:=Fit*ln(FIt/(Is*RJ));

gotoxy(col+3,row+5);

write('[Uc] ');

gotoxy(col+39,row+5);

write(Uc);

if (st(expon,(Uec/FIt))-1) < 1e4800/Is then

Ic:= Is * (st(expon,Uc/FIt)-1)

else Ic:= 1e4800;

gotoxy(col+3,row+6);

write('[Ic]');

gotoxy(col+39,row+6);

write(Ic);

Model(Ueb,Ucb,Ieb,Icb,Ib,Iy);

gotoxy(col+3,row+7);

write('[Ieb] ');

gotoxy(col+39,row+7);

write(Ieb);

gotoxy(col+3,row+8);

write('[Icb] ');

gotoxy(col+39,row+8);

write(Icb);

gotoxy(col+3,row+9);

write('[Ib] ');

gotoxy(col+39,row+9);

write(Ib);

gotoxy(col+3,row+10);

write('[Iy] ');

gotoxy(col+39,row+10);

write(Iy);

Ik:=Iy-Icb;

gotoxy(col+3,row+11);

write('[Ik] ');

gotoxy(col+39,row+11);

write(Ik);

Ie:=Iy+Ieb;

gotoxy(col+3,row+12);

write('[Ie] ');

gotoxy(col+39,row+12);

write(Ie);

If Ueb < VJE/2 then CJE := CJE0* 1 / st(1- Ueb/VJE,MJE)

else CJE := st(2,MJE) * CJE0 * (MJE* Ueb / VJE/2 + 1 - MJE);

gotoxy(col+3,row+13);

write('[CJE] ');

gotoxy(col+39,row+13);

write(CJE);

If Ieb > 0 then CDE := Ieb * BF * TAUF / FIt

else CDE := 0;

gotoxy(col+3,row+14);

write('[CDE] ');

gotoxy(col+39,row+14);

write(CDE);

CBE:=CJE+CDE;

gotoxy(col+3,row+15);

write('[CBE] ');

gotoxy(col+39,row+15);

write(CBE);

If Ucb < (VJC / 2) then CJC := CJC0 * 1 / st(1- Ucb/VJC,MJC)

else CJC := 2 * st(2,MJC) * CJC0 * (MJC * Ucb / VJC / 2 + 1 - MJC);

gotoxy(col+3,row+16);

write('[CJC] ');

gotoxy(col+39,row+16);

write(CJC);

If Icb > 0 then CDC := Icb * BR * TAUR / FIt

else CDC := 0;

gotoxy(col+3,row+17);

write('[CDC] ');

gotoxy(col+39,row+17);

write(CDC);

CBC := CJC + CDC;

gotoxy(col+3,row+18);

write('[CBC] ');

gotoxy(col+39,row+18);

write(CBC);

gotoxy(col+6,row+25);

write('Pres any key to Main menu ');

readkey;

end;

procedure IGraph;

var

grDriver: Integer;

grMode: Integer;

ErrCode: Integer;

i,x0,y0: Integer;

stro1,stro2,stro3,stro4:string;

begin

grDriver := Detect;

InitGraph(grDriver, grMode,'');

ErrCode := GraphResult;

if ErrCode = grOk then

begin { Do graphics }

x0:=320;

y0:=350;

Kyf:=0;

OutTextXY(250,10,'Graphic Ib=f(-Ueb)');

Line(x0, y0-150, x0, Y0+150);

Line(x0-200, y0, X0+200, Y0);

setcolor(0);

LineTo(x0+200, y0-300);

setcolor(2);

for i:=200 downto -200 do

begin

Model(Ueb*(i)/200,-(Uec-Ueb*(i)/200),Ieb,Icb,Ib,Iy);

if Kyf=0 then

begin

Kyf:=300/Ib;

Str(Ieb,stro1);

Str(Ueb,stro2);

end;

if abs(Kyf*Ib)< 10e5 then Lineto(x0+i, y0-round(Kyf*Ib));

end;

Str(-Ieb,stro3);

Str(-Ueb,stro4);

OutTextXY(x0-40,Y0-300,'+Ib = ');

OutTextXY(x0+3,Y0-300,Stro1);

OutTextXY(x0+60,Y0+10,'+Ueb = ');

OutTextXY(x0+100,Y0+10,Stro2);

OutTextXY(x0-250,Y0+10,'-Ib = ');

OutTextXY(x0-210,Y0+10,Stro3);

OutTextXY(x0-300,Y0-10,'-Ueb = ');

OutTextXY(x0-250,Y0-10,Stro4);

OutTextXY(40,470,'Pres any key to Main menu');

Readkey;

CloseGraph;

end

else Writeln('Graphics error:', GraphErrorMsg(ErrCode));

end;

procedure OGraph;

var

grDriver: Integer;

grMode: Integer;

ErrCode: Integer;

i,x0,y0: Integer;

stro1,stro2,stro3,stro4:string;

begin

grDriver := Detect;

InitGraph(grDriver, grMode,'');

ErrCode := GraphResult;

if ErrCode = grOk then

begin { Do graphics }

x0:=320;

y0:=240;

Kyf:=0;

OutTextXY(250,10,'Graphic Ik=f(Uec)');

Line(x0, y0-150, x0, Y0+150);

Line(x0-200, y0, X0+200, Y0);

setcolor(0);

LineTo(x0+200, round(y0-Kyf*Ik));

setcolor(2);

Kyf:=0;

for i:=200 downto -200 do

begin

if (i>0) or (i=0) then

begin

Is:=Is0 * (1+ Uec*(i)/200/VA) * st(T/TNOM,3) * st(expon,-EG/K*(1/T-1/TNOM));

Uc:=Fit*ln(FIt/(Is*RJ));

Ic:= Is * (st(expon,Uc/FIt)-1);

Model(Ueb,Ueb-Uec*(i)/200,Ieb,Icb,Ib,Iy);

Ik:=Iy-Icb;

end;

if i<0 then

begin

Is:=Is0 * (1- Uec*(i)/200/VA) * st(T/TNOM,3) * st(expon,-EG/K*(1/T-1/TNOM));

Uc:=Fit*ln(FIt/(Is*RJ));

Ic:= Is * (st(expon,Uc/FIt)-1);

Model(Ueb+Uec*(i)/200,Ueb,Ieb,Icb,Ib,Iy);

Ik:=(Iy-Icb);

end;

if Kyf=0 then

begin

Kyf:=abs(20/Ik);

Str(Ik,stro1);

Str(Uec,stro2);

setcolor(0);

LineTo(x0+200, round(y0-Kyf*Ik));

setcolor(2);

end;

if abs(Kyf*Ik)< 10e5 then

Lineto(x0+i, y0-round(Kyf*Ik));

end;

OutTextXY(x0-40,Y0-210,'+Ik = ');

OutTextXY(x0+3,Y0-210,Stro1);

OutTextXY(x0+60,Y0+10,'+Uec = ');

OutTextXY(x0+100,Y0+10,Stro2);

OutTextXY(40,470,'Pres any key to Main menu');

Readkey;

CloseGraph;

end

else Writeln('Graphics error:', GraphErrorMsg(ErrCode));

end;

begin

textbackground(1);

textcolor(14);

col:=-2;

row:=0;

repeat

clrscr;

writeln(' Mogel p-n-p transistor Eabers-Mol whith 1 SIDI');

writeln;

writeln(' Main menu');

writeln;

writeln('1: Input parameters of transistor');

writeln('2: Input current parameters');

writeln('3: Output text result');

writeln('4: Input-graphic result');

writeln('5: Output-graphic result');

writeln('ECS:exit');

key:=Readkey;

case key of '1': InputTrans;

'2': InputCurrent;

'3': OutputResult;

'4': IGraph;

'5': OGraph;

#27: halt ;

else

begin

sound(500);

delay(1000);

nosound;

end;

end;

until key=#27;

{donewincrt;}

end.

4. Решение контрольной задачи 5. Моделирование электронных устройств

.model KT315v NPN(Is=21.11f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=157 Bf=81.09 Ise=321.2f

+ Ne=1.458 Ikf=.2017 Nk=.4901 Xtb=1.5 Br=1 Isc=84.36f Nc=1.317

+ Ikr=1.671 Rb=12 Rc=1.426 Cjc=9.716p Mjc=.33 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=18.5p

+ Mje=.33 Vje=.75 Tr=275.6n Tf=321.4p Itf=1 Xtf=2 Vtf=60)

График вида зависимости Ic = f(Ube) График вида зависимости Ube = f(Ibe)

программы ORCAD 9.1; моей программы

Заключение

Программа, написанная по указанному алгоритму, подтвердила справедливость этих алгоритмов и относительную точность математического описания биполярных транзисторов. Результаты полученной программы сравнивались с профессиональными CAD программами для одних и тех же транзисторов и одинаковых соответствующих параметрах. Немного изменяя входные параметры возможно достаточно близко приблизится к их результатам.

Полученная программа позволяет решать поставленные перед нею проблемы, но не обладает удобством в использовании и требует доработки.

В дальнейшем возможно добавление более сложных моделей, позволяющих проводить анализ по постоянному току, но и по переменному на высоких частотах, в режиме малого сигнала.

Для уменьшения погрешности при вычислениях можно написать программу под Windows, где разрядность данных увеличена и достигает 64 бита. Этот метод позволит улучшить удобство в работе с программой.

Библиографический список

1. Влах Н., Сингхал К. Машинные методы анализа и проектирования электронных схем.

М. : Радио и связь, 1988 – 560 стр.

2. В. И. Лачин, Н.С. Савёлов Электроника.

3. Носов Ю. Р., Петросянц К. О., Шилин В. А. Математические модели Элементов интегральной электроники.

М. : Сов. радио, 1976 – 304 стр.

4. Сигорский В. П., Петренко А.И. Алгоритмы анализа электронных схем.

М. : Сов. радио, 1976 – 608 стр.

5. Мигулин И. Н., Чаповский М. З. Усилительные устройства на транзисторах.

6. Лекции по дисциплине “Методы анализа и расчёта электронных схем”.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений22:24:21 18 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
13:31:28 24 ноября 2015

Работы, похожие на Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(151295)
Комментарии (1844)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru