Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Електропровідність та оптичне поглинання стекол системи ZnSe-Ga2Se3-SnSe2

Название: Електропровідність та оптичне поглинання стекол системи ZnSe-Ga2Se3-SnSe2
Раздел: Рефераты по астрономии
Тип: реферат Добавлен 18:02:57 30 января 2011 Похожие работы
Просмотров: 4 Комментариев: 1 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

Електропровідність та оптичне поглинання стекол системи ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2

Вступ

80-90-і рр. ХХ ст. відрізняються інтенсивним розвитком експериментальних і теоретичних досліджень в області некристалічних матеріалів. Тепер можна стверджувати, що наступний виток розвитку мікроелектроніки відбудеться на базі аморфних напівпровідників.

Метою праці було дослідження спектрального розподілу коефіцієнта поглинання в області довжин хвиль 500-2500 нм і питомої електропровідності стекол систем ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 .

Матеріали та методи

Синтез склоподібних сплавів квазіпотрійних систем ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 проводився з елементарних компонентів (для систем ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 ) у вакуумованих контейнерах з тонкостінного кварцу. Режим синтезу при нагріванні до максимальної температури аналогічний до режиму для систем певного класу. Після витримування при максимальній температурі протягом 10 годин проводилося її пониження з метою, щоб вона була на100-150 К вищою за температуру плавлення цього сплаву. Витримування при цій температурі складало 10 годин, після чого сплави загартовували в 25 %-ному водному розчині NaCl. Для запобігання розбризкування розплаву в об’ємі контейнера, а також зменшення втрат на конденсацію з парової фази по стінках останнього, застосовувалося максимальне зменшення величини ампули та збільшення температури в її верхній частині за рахунок теплоізоляції шнуровим азбестом.

Склоподібний стан сплавів контролювався рентгенофазовим (дифрактометр ДРОН-3М) та мікроструктурним (мікроскоп ММУ-3) аналізами. В межі областей склоутворення вносилися тільки ті склади сплавів, для яких методи контролю не виявили кристалічних включень. Одержані стекла являли собою монолітні злитки чорного кольору з характерним блиском. У деяких сплавах, відразу після гарту,відбувалося розтріскування, яке пов’язане, скоріш за все, зі збільшенням внутрішніх напруг внаслідок поступового переходу від напруг стиснення у зовнішніх шарах, до напруг розтягу – у внутрішніх.

Приналежність певного сплаву до стекол перевіряли за дифрактограмами, які знімали на рентгенівському дифрактометрі ДРОН-3М (CuKaa -випромінювання). Дифракційну картину в неперервному режимі реєстрували на стрічку самописця. Швидкість руху стрічки – 0,72 м/год, лічильника – 2 град./хв, величина діаграми – 0,25 та 0,5 мм. На дифрактограмах склоподібних зразків спостерігалися характерні “галло”, наявність яких свідчить про відсутність дальнього порядку в структурі сплаву.


Для оптичних вимірювань проводилася шліфовка зразків абразивним порошком і поліровка алмазними пастами механічним способом. Зразки виготовлялись у формі паралелепіпедів розмірами 3x1x2,3 мм та пластинок товщиною завтовшки 0,1 мм.

Для електричних вимірювань зразки приклеювалися до слюдяної підложки, а електричні контакти до зразків виконувалися за іскророзрядним методом.

Вимірювання спектрів поглинання проводилося за стандартним методом із синхродетектуванням.

Результати експерименту

У таблиці 1 подано енергії оптичної іонізації та термічної енергії активації для зразків ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 .

Таблиця 1

Залежність енергії іонізації (активації) від компонентного складу зразків

Компонента

80 % SnSe2

20 % Ga2 Se3

77 % SnSe2

23 % Ga2 Se3

75 % SnSe2

25 % Ga2 Se3

1 % ZnSe

75 % SnSe2

24 % Ga2 Se3

1 % ZnSe

77 % SnSe2

22 % Ga2 Se3

82 % SnSe2

18 % Ga2 Se3

Номер зразка

№ 6

№ 11

№ 12

№ 13

№ 14

№ 20

Eg , eV

(T=300K)

1,45

1,45

1,45

1,72

1,52

1,52

Eg , eV

(T=77K)

1,72

1,72

1,6

1,78

1,72

1,72

Egt , eV

0,44

0,4

0,44

0,5

0,59

0,39

На малюнку 2 подано графічну залежність енергії оптичної іонізації та термічної енергії активації від компонентного складу зразків.

На рисунку 3, 4 показано спектральний розподіл коефіцієнта поглинання стекол системи ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 при Т=77К та Т=300К. Як видно з отриманих залежностей, при обох температурах оптична енергія іонізації залежить від компонентного складу. З наведених залежностей видно, що край фундаментального поглинання зміщується в короткохвильову область при пониженні температури від кімнатної до температури рідкого азоту приблизно на 0,15 еВ.

На рисунку 5 подано температурні залежності питомої електропровідності для стекол системи ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 в інтервалі температур 0-150 0 С. Для потрійної системи ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 (рис. 5) добре розділяються два нахили температурної залежності, причому при Т>355 К електропровідність значно швидше зростає з підвищенням температури і термічна енергія активації становить 0,5 еВ для стекол 1 % ZnSe – 75 % SnSe2 – 24 % Ga2 Se3 та 0,59 еВ для 1 % ZnSe – 77 % SnSe2 – 22 % Ga2 Se3 .


Обговорення результатів експерименту

Для густини станів в аморфних напівпровідниках діють такі механізми провідності, які можна виявити у відповідних інтервалах температур [1].

І. Для високих температур провідність зумовлена носіями заряду, збуджених за край рухливості в нелокалізовані стани з енергією, більшою Ес . Провідність тоді має вигляд:

,

де sмін – мінімальна металічна провідність при нульовій температурі (Е=ЕС ). Величина (ЕCF ) – лінійна функція від Т для високих температур, тому графіком залежності lns від 1/Т повинна бути пряма лінія.

II. Провідність пов’язана з носіями, збудженими в локалізовані стани біля країв зон. Ця провідність має стрибковий характер з енергіями поблизу ЕА . Для такого процесу маємо:

,

де s1 – енергія активації стрибка, ЕА – енергія носіїв у “хвості” локалізованих станів, ЕF – енергія Фермі. Енергія s1 при пониженні температури зменшується, тому що при цьому змінюється довжина стрибка. Але оскільки основний вклад у провідність вносить член, який відповідає за активацію носіїв у нелокалізованих станах, ми маємо знову лінійну залежність lns від 1/Т, тільки з іншим нахилом. Величина s1 менша ніж sмін через меншу густину станів поблизу енергії ЕА (“хвоста” локалізованих станів носіїв зарядів) та через меншу рухливість носіїв заряду.

III. Якщо густина станів на рівні Фермі ЕF скінченна, то у провідність будуть вносити вклад носії заряду з енергією поблизу ЕF . Ці носії можуть здійснювати стрибки між локалізованими станами. Цей вклад у провідність можна записати так:

,

де - s2 < s1 та s2 – енергія активації стрибка, значення якої дорівнює приблизно половині ширини зони локалізованих станів.

Повна провідність, з урахуванням усіх перерахованих процесів, визначається як інтеграл за всіма можливими енергетичними станами.

Для зразків ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 з різним компонентним складом спостерігаємо меншу питому провідність, ніж у зразків Ga2 Se3 -SnSe2 (без компоненти ZnSe). Причому в стеклах ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 при вищій температурі провідність зумовлена носіями заряду, збудженими в нелокалізовані стани (І випадок). З пониженням температури настає провідність за рахунок носіїв, які збуджені в локалізовані стани, тому наявний менший нахил провідності (ІІ випадок). Для зразків Ga2 Se3 -SnSe2 , як видно з графіка, провідність описується законом І.

Зменшення провідності при введенні в систему Ga2 Se3 -SnSe2 компоненти ZnSe можна пояснити зміною хімічної будови стекол цієї системи. Елемент Se як склоутворювач займає виняткове становище серед усіх елементів Періодичної системи. Він сам існує у вигляді стабільного скла і легко утворює як бінарні, так і складні стекла в широкій області сполук. Стекла створюються в тому випадку, коли в розплавах початкових речовин існують зв’язки, які допускають зміну валентних кутів і довжин [2]. При введенні в скло Ga2 Se3 -SnSe2 сполуки ZnSe відбувається варіація ковалентних радіусів і кутів, що в свою чергу змінює вигляд енергетичних зон. Атоми Zn, внаслідок меншого ковалентного радіуса ніж Sn та Se, заповнюють різного роду вакантні місця і незавершені ковалентні зв’язки, що, у свою чергу, веде до вирівнювання флуктуацій потенціалу поблизу країв зон стекол системи ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe2 . У зв’язку з цим енергія активації носіїв заряду в нелокалізовані стани з енергією ЕС збільшується, а провідність зменшується. При нижчих температурах, домінуючим стає провідність, пов’язана з активацією носіїв у локалізовані стани з енергією ЕА , тому на графіку ми спостерігаємо зміну нахилу прямої провідності (зразок № 13, 14).

Із аналізу результатів за дослідженням коефіцієнта поглинання було встановлено, що край поглинання описується експонентою, яка відповідає емпіричному правилу Урбаха. Було досліджено край поглинання у довгохвильовій частині оптичного “хвоста”, який сильно залежить від чистоти і досконалості структури, та експоненціальний оптичний “хвіст”. Ділянка, де коефіцієнт поглинання описується законом a~(hn-Eg ), не досліджена у зв’язку з тим, що неможливо було виготовити зразки достатньо тонкими. Слід відмітити, що край зміщується в короткохвильову область при переході до температури азоту приблизно на 0,15 еВ (для всіх зразків). Зсув краю поглинання стекол ZnSe-Ga2 Se3 -SnSe3 при зміні компонентного складу, в межах похибки експерименту, не спостерігався.

Висновки

Таким чином, у цій статті було досліджено питому електропровідність у діапазоні температур 0-150 0 С та спектральний розподіл коефіцієнта поглинання в області довжин хвиль 500-2500 нм. Дано пояснення зміни провідності зразків на основі зміни хімічної будови стекол залежно від компонентного складу. Тому для пояснення природи оптичних і електричних властивостей необхідно проводити подальші пошуки як експериментального, так і теоретичного плану.

Література

1. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристалических веществах: Т.1. Пер. с англ.– М.: Мир, 1974.

2. Кокорина В.Ф. О необходимых и достаточных условиях стеклообразования // Физ. и хим. стек-ла.– 1999.– Т.25.– №2.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений08:10:10 19 марта 2016

Работы, похожие на Реферат: Електропровідність та оптичне поглинання стекол системи ZnSe-Ga2Se3-SnSe2

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(151261)
Комментарии (1843)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru