Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364142
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62791)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21693)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8693)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3462)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20644)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Лабораторная работа: Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов

Название: Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов
Раздел: Рефераты по физике
Тип: лабораторная работа Добавлен 05:54:27 31 мая 2011 Похожие работы
Просмотров: 1682 Комментариев: 2 Оценило: 1 человек Средний балл: 5 Оценка: неизвестно     Скачать

Федеральное агентство по образованию РФ

Санкт-Петербургский Государственный Электротехнический Университет «ЛЭТИ»

Кафедра микроэлектроники

Отчет по лабораторной работе №3

Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов

Санкт-Петербург

2005


Введение

Исследование фотоэлектрических свойств полупроводников осуществляется с помощью монохроматора, схема которого представлена на рисунке. Световой поток от галогенной лампы E, питаемой от источника G, через щель монохроматора F, ширина которой регулируется микрометрическим винтом, поступает на диспергирующее устройство P.

Схема для исследования фотоэлектрических свойств полупроводников

Это устройство представляет собой призму, поворачивая которую с помощью барабана, можно освещать ФP светом определенной длины волны. ны волны. На выходе монохроматора установлены исследуемые образцы (R) полупроводника 1 и 2. Изменение проводимости фиксируется с помощью цифрового омметра PR.

В настоящей работе исследование фотоэлектрических свойств полупроводников проводится на примере материалов, применяемых в промышленных фоторезисторах. на основе сульфида кадмия (CdS) и селенида кадмия (CdSe), обладающие высокой чувствительностью к излучению видимого диапазона спектра


1. Исследование спектральной зависимости фотопроводимости

Экспериментальные результаты для 1-ого образца

Деление по барабану l, мкм

Эl,

усл. ед.

RС, МОм gс, мкСм gф, мкСм

gф',

усл. ед.

gф'/gф' max, о. е.
500 0,475 0,14 3,950 0,253 0,153 1,094 0,017
600 0,476 0,141 4,000 0,250 0,150 1,064 0,016
700 0,477 0,143 3,900 0,256 0,156 1,094 0,017
800 0,478 0,145 3,600 0,278 0,178 1,226 0,019
900 0,479 0,147 3,450 0,290 0,190 1,292 0,020
1000 0,48 0,15 3,100 0,323 0,223 1,484 0,023
1100 0,481 0,153 2,800 0,357 0,257 1,681 0,026
1200 0,482 0,157 2,600 0,385 0,285 1,813 0,028
1300 0,484 0,163 2,250 0,444 0,344 2,113 0,033
1400 0,487 0,172 2,000 0,500 0,400 2,326 0,036
1500 0,49 0,182 1,680 0,595 0,495 2,721 0,042
1600 0,494 0,195 1,300 0,769 0,669 3,432 0,053
1700 0,499 0,21 0,820 1,220 1,120 5,331 0,082
1800 0,505 0,228 0,260 3,846 3,746 16,430 0,254
1900 0,512 0,248 0,140 7,143 7,043 28,399 0,439
2000 0,52 0,27 0,100 10,000 9,900 36,667 0,567
2100 0,528 0,295 0,075 13,333 13,233 44,859 0,694
2200 0,536 0,323 0,060 16,667 16,567 51,290 0,793
2300 0,545 0,353 0,048 20,833 20,733 58,735 0,908
2400 0,555 0,385 0,040 25,000 24,900 64,675 1,000
2500 0,566 0,42 0,045 22,222 22,122 52,672 0,814
2600 0,579 0,46 0,065 15,385 15,285 33,227 0,514
2700 0,594 0,505 0,095 10,526 10,426 20,646 0,319
2800 0,611 0,56 0,180 5,556 5,456 9,742 0,151
2900 0,629 0,63 0,472 2,119 2,019 3,204 0,050
3000 0,649 0,71 1,490 0,671 0,571 0,804 0,012
3100 0,672 0,83 2,450 0,408 0,308 0,371 0,006
3200 0,697 0,99 2,700 0,370 0,270 0,273 0,004
3300 0,725 1,17 2,900 0,345 0,245 0,209 0,003
3400 0,758 1,37 2,050 0,488 0,388 0,283 0,004
3500 0,8 1,6 3,100 0,323 0,223 0,139 0,002

γС = 1/ RС - проводимость полупроводника на свету

gф = gС - 1/RT, где где RT = 10 Мом - фотопроводимость полупроводника

γ΄Ф = γФ/Эλ приведенную фотопроводимость (изменение проводимости полупроводника под действием единицы энергии падающего излучения)

γ΄Ф/γ΄Фmax- относительная фотопроводимость, где γ΄Фmax - максимальное значение приведенной фотопроводимости для исследованного образца.

Примеры расчетов:

γС = 1/ RС = 1/3,950 = 0,253

gф = gС - 1/RT= 0,253 – 1/10 = 0,153

γ΄Ф = γФ/Эλ = 0,153/0,14 = 1,094

γ΄Ф/γ΄Фmax= 1,094/ 64,675 = 0,017

График 1. Спектральная зависимость фотопроводимости

фотопроводимость монохроматор кадмий спектральный

Из графика находим длинноволновую границцlПОР = 0,517 мкм;


- энергия активации фотопроводимости

где h = 4,14×10-15 эВ×с - постоянная Планка, c = 3×108 - скорость света, DЭ - ширина запрещенной зоны.

DЭ = (4,14×10-15 *3×108 )/0,517*10-6 = 2,402 эВ

2. Исследование зависимости фотопроводимости от интенсивности облучения

Результаты при изменении щели монохроматора для 1-ого образца:

d, мм RС, МОм gС, мкСм gф, мкСм d/dmax lg(d/dmax) lg(gф)
0,01 0,83 1,205 1,105 0,0025 -2,602 0,043
0,02 0,82 1,220 1,120 0,005 -2,301 0,049
0,03 0,8 1,250 1,150 0,0075 -2,125 0,061
0,05 0,797 1,255 1,155 0,0125 -1,903 0,062
0,1 0,79 1,266 1,166 0,025 -1,602 0,067
0,2 0,75 1,333 1,233 0,05 -1,301 0,091
0,3 0,72 1,389 1,289 0,075 -1,125 0,110
0,5 0,65 1,538 1,438 0,125 -0,903 0,158
1 0,575 1,739 1,639 0,25 -0,602 0,215
2 0,575 1,739 1,639 0,5 -0,301 0,215
4 0,575 1,739 1,639 1 0,000 0,215

График 2. Световая характеристика


Вывод

Выполнив данную работу на примере образца 1 (фоторезистор на основе сульфида кадмия CdS), я пришел к выводу, что при увеличении длины волны растет и сопротивление (а отсюда и фотопроводимость) полупроводника, но до определенного значения (0,04Мом), после которого оно снова уменьшается до значения, близкого к первоначальному, так как возрастает интенсивность оптических переходов и показатель оптического поглощения и уменьшается глубина проникновения света в полупроводник. При увеличении уровня облучения растет и фотопроводимость полупроводника, а на графике видно, что при слабых световых потоках фотопроводимость имеет относительно линейный характер, но с повышением интенсивности света рост фотопроводимости замедляется за счет усиления процесса рекомбинации.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений07:43:51 19 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
10:49:23 29 ноября 2015

Работы, похожие на Лабораторная работа: Исследование фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(171215)
Комментарии (1975)
Copyright © 2005-2017 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru