Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Контрольная работа: Функциональные устройства телекоммуникаций

Название: Функциональные устройства телекоммуникаций
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: контрольная работа Добавлен 05:09:24 17 октября 2009 Похожие работы
Просмотров: 38 Комментариев: 3 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

Контрольное задание №1

Исходные данные (Вариант №4):

Еп, В 9
I0K, мА 12
U0КЭ , В 4
EГ , мВ 50
RГ , кОм 0,6
fН , Гц 120
fВ , кГц 10
M, дБ 1
tСМИН , о C 0
tСМАКС , о C 35

Изобразим полную принципиальную схему предварительного каскада элементами связи с источником сигнала и последующим каскадом.

Выберем тип транзистора исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя fВ

Еп=9В; I0K =12 мА; fВ =10кГц


Возьмем низкочастотный транзистор малой мощности. Например ГТ108А [3]. Это германиевый сплавной транзистор p-n-p типа.

Выпишем его основные параметры из справочника [3]:

Параметры Режим измерения ГТ108А
h21ЭМИН UКЭ =-5В; IЭ =1 мА; tС =20 о C 20
h21ЭМАКС 55
СК, пФ UКБ =-5В; f=465 кГц 50
τК, нс UКБ =-5В; f=465 кГц 5
fh21Э, МГц UКЭ =-5В; IЭ =1 мА 0,5
IКБО, мкА UКБ =-5В; tС =20 о C 15

Рассчитаем параметры малосигнальной модели биполярного транзистора [1].

Среднее значение коэффициента передачи тока равно:

(1.1)

h 21Э =33,2.

Выходная проводимость определяется как

(1.2)

h 22Э =1,2*10-4 См.

Здесь UA — напряжение Эрли, равное 70... 150 В у транзисторов типа р-n-р.

Объемное сопротивление области базы rБ можно определить из постоянного времени τК коллекторного перехода:


(1.3)

rБ =100 Ом

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:

(1.4)

r Б’Э =74 Ом

где =2,2 Ом дифференциальное сопротивление эмиттера;

0,026 В — температурный потенциал при Т= 300 К;

m=1 — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1 для германиевых транзисторов.

Входное сопротивление транзистора:

(1.5)

h 11Э =174 Ом

Емкость эмиттерного перехода равна:

(1.6)

СБ’Э =4,3 нФ

Проводимость прямой передачи:


(1.7)

Y21Э =0,191 См

Рассчитаем параметры эквивалентной схемы биполярного транзистора по дрейфу [1].

Минимальная температура перехода транзистора

(1.8)

где PK — мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора;

(1.9)

PK =48 мВт,

RПС =0,5 °С/мВт,

tПmin = 14,4°С.

Максимальная рабочая температура перехода:

tПmax = tСmax + RПС PK (1.10)

tПmax =49,4°С

Значение параметра h/ 21Э транзистора при минимальной температуре перехода:

(1.11)

h/ 21Э =26,4.


Значение параметра h// 21Э транзистора при максимальной рабочей температуре перехода:

(1.12)

h// 21Э =52,3.

Изменение параметра Δh21Э в диапазоне температур:

(1.13)

Δh21Э =26

Изменение обратного тока коллектора в диапазоне температур:

(1.14)

ΔIКБ0 =81 мкА,

где α — коэффициент, принимаемый для германиевых транзисторов в интервале 0,03— 0,035

Эквивалентное изменение тока в цепи базы в диапазоне температур:

(1.15)

ΔI0 =0,4 мА

Эквивалентное изменение напряжения в цепи базы, вызванное изменением температуры окружающей среды:


(1.16)

ΔU0 =0,12В

Рассчитаем элементы эммитерной стабилизации тока покоя транзистора:

Зададимся падением напряжением на сопротивлении RЭ в цепи эмиттера транзистора равным

U =0,2Eп=1,8В (1.17)

Определим сопротивление этого резистора:

(1.18)

RЭ =150 Ом

а также сопротивление резистора в цепи коллектора:

(1.19)

RК =267 Ом

Округлим их значения до ближайших стандартных, они будут равны соответственно 150 Ом и 270 Ом

Зададимся допустимым изменением тока коллектора в диапазоне температур из условия

(1.20)

ΔI =0,5I0K =6 мА


При этом необходимо учитывать, что меньшее значение изменения этого тока приводит к увеличению тока, потребляемого резистивным делителем в цепи базы, к снижению входного сопротивления и ухудшению КПД каскада.

Исходя из требуемой стабилизации тока покоя каскада, определяют эквивалентное сопротивление в цепи базы транзистора:

(1.21)

RБ =4,2 кОм (стандартная величина – 4,3 кОм)

Рассчитаем ток базы в рабочей точке:

(1.22)

IОБ =0,36 мА

Пусть U0БЭ =0,3 В

Напряжение на нижнем плече резистивного делителя в цепи базы:

(1.23)

URБ2 =2,1 В

Сопротивление верхнего плеча резистивного делителя в цепи базы:

(1.24)

RБ1 =10 кОм (стандартная величина – 10 кОм)


Сопротивление нижнего плеча делителя в цепи базы:

(1.25)

RБ2 =4,2 кОм (стандартная величина – 4,3 кОм)

Входные сопротивления рассчитываемого RВХ и последующего RВХ2 = RН каскадов:

(1.26)

RВХ1 =167 Ом

Выходное сопротивление каскада:

(1.27)

RВЫХ =260 Ом

Определим емкости разделительных (СР1 и СР2 ) и блокировочного (СЭ )конденсаторов. Эти конденсаторы вносят частотные искажения в области нижних частот примерно в равной степени. В связи с этим заданные на каскад частотные искажения МН (дБ) в децибелах целесообразно распределить поровну между данными элементами:

МНСР1НСР2НСЭ = 0,33 дБ


Емкость первого разделительного конденсатора:

(1.28)

СР1 =6,1 мкФ (стандартная величина – 6,2 мкФ)

Емкость второго разделительного конденсатора:

(1.29)

СР2 =11 мкФ (стандартная величина – 10 мкФ)

Емкость блокировочного конденсатора в цепи эмиттера:

(1.30)

где

(1.31)

М0 =7,7;

СЭ =238 мкФ (стандартная величина – 240 мкФ);

Сопротивление нагрузки каскада по переменному току:

(1.32)

=103 Ом


Коэффициент передачи каскада по напряжению:

(1.33)

КU =20

Сквозной коэффициент передачи по напряжению:

(1.34)

КЕ =4,2

Выходное напряжение каскада:

(1.35)

UВЫХ =213 мВ

Коэффициент передачи тока:

(1.36)

Ki =20

Коэффициент передачи мощности:

(1.37)

KP =383


Верхняя граничная частота каскада определяется по формуле:

(1.38)

где — эквивалентная постоянная времени каскада в области верхних частот.

Постоянную времени можно определить из выражения

(1.39)

где и — постоянные времени входной и выходной цепей соответственно.

Эти постоянные времени определяются по формулам

(1.40)

(1.41)

где С0 — эквивалентная входная емкость каскада,

Сн — емкость нагрузки.

Эквивалентная входная емкость каскада включает емкость перехода база — эмиттер и пересчитанную на вход емкость перехода база — коллектор Ск :

(1.42)

С0 =5,3 нФ;

=0,7 мкс; =0,5 мкс;

= 0,9 мкс.

fВ =180 кГц.

Определим частотные искажения в области верхних частот

(1.40)

МВ =0,013

и сравним их с заданным значением М. Т.к. условие выполняется, т.е. МВ (дБ)<М(дБ), следовательно расчет произведен верно.


Контрольное задание №2

тип схемы: 7;

тип транзистора: p-n-p - КТ363Б

Выпишем основные параметры заданных транзисторов:

КТ363Б
h21Эmin 40
h21Эmax 120
|h21Э | 15
fизм, МГц 100
τK , пс 5
CK , пФ 2

Eг=1мВ; fc=10кГц; Rг=1кОм; Rн=1кОм; Сн=100пФ; Ср2=10мкФ.

Принципиальная схема анализируемого каскада с подключенными к ней источником сигнала и нагрузкой имеет вид:

Рассчитаем режим работы транзисторов по постоянному току, пусть Еп=10 В.

Расчет схемы по постоянному току проводится в следующем порядке. Рассчитаем ток делителя в базовых цепях транзисторов:

(2.1)

Определить потенциалы баз транзисторов:

(2.2)

(2.3)

Найдем потенциалы эмиттеров транзисторов:

(2.5)

(2.6)

Напряжение U0БЭ выбирается в интервале 0.5...0,7 В для кремниевых транзисторов, выберем U0БЭ =0,5В.

Рассчитаем ток в резисторе, подключенном к эмиттеру первого транзистора:

(2.7)

Рассчитаем ток коллектора в рабочей точке, для этого найдем сначала найдем среднее значение коэффициента передачи тока:


(2.8)

h21Э =69,

тогда:

(2.9)

(2.10)

Определим напряжение на коллекторе в рабочей точке:

(2.11)

(2.12)

По результатам расчета статического режима определяются параметры моделей первого и второго транзисторов:

Выходная проводимость определяется как

(2.13)

h22 1=1,3*10-5 См, h22 2=1,2*10-5 См.


Здесь UA — напряжение Эрли, равное 100... 200 В у транзисторов типа n-р-n. Примем UA =100В.

Предельная частота усиления транзистора по току определяется по единичной частоте усиления fТ :

(2.14)

Граничная частота fТ находится по формуле:

(2.15)

fТ1,2 =1,5 ГГц;

=22 МГц.

Объемное сопротивление области базы rБ можно определить из постоянной времени τК коллекторного перехода транзистора, приводимой в справочниках:

(2.16)

rБ1,2 =2,5 Ом.

Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:

(2.17)

rБ’Э1 =2,2 кОм, rБ’Э2 =2,2 кОм.

где дифференциальное сопротивление эмиттера;

0,026 мВ — температурный потенциал при Т= 300 К;

m — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1.5 для кремниевых транзисторов.

rЭ1 =31 Ом, rЭ2 =31 Ом.

Емкость эмиттерного перехода равна:

(2.18)

СБ’Э1 =3,4 пФ; СБ’Э2 =3,3 пФ

Определим коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивление оконечного каскада, построенного по схеме с ОЭ.

Входное сопротивление транзистора VT2:

h11 2=rБ2 +rБ Э2 =2,2 кОм (2.19)

Входное сопротивление каскада:

(2.20)

Выходное сопротивление каскада:


(2.21)

Сопротивление нагрузки каскадапо переменному току:

(2.22)

Коэффициент передачи каскада по напряжению:

(2.23)

KU2 =16

Определим коэффициент передачи по напряжению, сквозной коэффициент передачи по напряжению, входное и выходное сопротивления входного каскада. При этом необходимо учитывать, что нагрузкой входного каскада является входное сопротивление оконечного каскада. Входной каскад построен по схеме с ОЭ.

Входное сопротивление транзистора VT2:

h11 1=rБ1 +rБ Э1 =2,2 кОм (2.24)

Входное сопротивление каскада:

(2.25)


Выходное сопротивление каскада:

(2.26)

(2.27)

Сопротивление нагрузки каскадапо переменному току:

(2.28)

Коэффициент передачи каскада по напряжению:

(2.29)

KU1 =32

Сквозной коэффициент передачи по напряжению:

(2.30)

Коэффициент передачи по напряжению всего усилителя определяется по формуле

KU = KU1 * KU2 =500 (2.31)

Сквозной коэффициент передачи по напряжению KE всего усилителя определяется аналогично:


KЕ = KЕ1 * KU2 =310 (2.32)

Входное сопротивление усилителя определяется входным сопротивлением входного каскада, а выходное – выходным сопротивлением оконечного каскада.

Постоянные времени в области нижних частот, связанные с разделительными конденсаторами Ср1, Ср2, определяются по формулам:

τН1 =Ср1*(Rг+ RВХ1 )=13 мс (2.33)

τН2 =Ср2*(RВЫХ2 + Rн)=20 мс (2.34)

Постоянная времени в области нижних частот, связанная с блокировочным конденсатором Сэ, определяется по формуле:

τН3 =СэRэ=30 мс (2.35)

Эквивалентная постоянная времени в области нижних частот равна

(2.36)

где τНi , τНj - эквивалентные постоянные времени каскада в области нижних частот связанные с i-м разделительным и j-м блокировочным и конденсаторами соответственно. τН =10 мс

Нижняя частота среза определяется по формуле:


(2.37)

В усилителе имеются три постоянных времени в области верхних частот, связанные с входными цепями входного и оконечного транзисторов и емкостью нагрузки:

τВi =Сi*Ri, (2.38)

где Сi – емкость i-го узла относительно общего провода,

Ri – эквивалентное сопротивление i-го узла относительно общего провода.

Входная емкость транзистора в схеме с общим эмиттером равна:

(2.39)

(2.40)

С01 = 70 пФ, С02 =37 пФ.

n (2.41)

(2.42)

(2.43)


Эквивалентная постоянная времени в области верхних частот равна

(2.44)

τВ =75 нс

Верхняя частота среза определяется по формуле:

(2.45)

fВ =2 МГц


Литература

1. Войшвилло. Г. В. Усилительные устройства / Г. В. Войшвилло. — М. : Радио и связь, 1983.

2. Титце, У. Полупроводниковая схемотехника. / У. Титце, К. Шенк. — М. : Мир, 1982.

3. Галкин, В. И. Полупроводниковые приборы : справочник / В. И. Галкин, А. Л. Булычев, В. А. Прохоров. — 2-е изд. — Минск : Беларусь, 1987.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений07:33:12 19 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
18:27:32 29 ноября 2015
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
22:43:39 28 ноября 2015

Работы, похожие на Контрольная работа: Функциональные устройства телекоммуникаций

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(151299)
Комментарии (1844)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru