Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Курсовая работа: Підсилювач потужності

Название: Підсилювач потужності
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: курсовая работа Добавлен 02:29:16 19 января 2009 Похожие работы
Просмотров: 432 Комментариев: 3 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

Міністерство транспорту та зв’язку України

Українська Державна Академія Залізничного Транспорту

Кафедра “Транспортний зв’язок”

ПІДСИЛЮВАЧ ПОТУЖНОСТІ

Пояснювальна записка курсового проекту

з дисципліни “Електроніка та мікросхемотехніка”

Харків

2008


Зміст

Вступ

1 Попередній розрахунок підсилювача

1.1 Типова структурна схема підсилювача

1.2 Попередній розрахунок вихідного каскаду

1.3 Попередній розрахунок вхідного і проміжного каскадів

1.4 Розподіл спотворень по каскадах

2 Вибір схеми і розрахунок кінцевого каскаду

2.1 Розрахунок схеми на комплементарних транзисторах

2.2 Особливості розрахунку схеми на складених транзисторах

3 Розрахунок вхідного і проміжного каскадів

3.1 Розрахунок каскаду по постійному струму

3.2 Розрахунок резисторного каскаду з ЗЕ

3.3 Розрахунок каскадів на мікросхемах

4 Розрахунок узагальнюючих параметрів і схеми НЗЗ

4.1 Розрахунок якісних показників підсилювача

4.2 Розрахунок електричних параметрів підсилювача

Висновок

Список літератури


Вступ

У наш час однією із самих швидко розвиваючих і перспективних галузей науки та техніки є електроніка. Зараз практично неможливо знайти яку-небудь галузь промисловості у якій би не використовувалися електронні вимірювальні прилади, пристрої автоматики й обчислювальної техніки. Але всього цього не було б без винаходу напівпровідних пристроїв, у тому числі транзисторів і діодів, які є тими елементарними цеглинками, з яких і будується сучасний будинок електроніки. Спочатку, транзистор був розроблений саме як підсилювальний прилад, покликаний замінити громіздкі електронні лампи, а вже пізніше став використовуватись як основний елемент логічних схем. З тих пір практично всі електронні підсилювачі виконуються на основі транзисторів.

Пристрій, призначенний для підсилення вхідного сигналу за рахунок енергії джерел живлення називається підсилювачем. Важливим типом підсилювача є підсилювач потужності. Будучи або самостійними пристроями, або частиною більш складних апаратів, підсилювачі знайшли широке застосування в радіомовленні, звуковому кіно, техніці звукозапису, телебаченні, радіолокації й радіонавігації, ядерній фізиці, медицині й біології, системах автоматики й т.д. У даному курсовому проекті зроблений розрахунок підсилювача потужності на транзисторах і мікросхемі.


1 Попередній розрахунок підсилювача

1.1 Типова структурна схема підсилювача

Як вхідний каскад підсилювача використовують резистивний підсилювач на мікросхемі ОП. З метою одержання основного підсилення сигналу, яке здійснюється проміжним каскадом, використовують схему на транзисторі за схемою ЗЕ, отже саме він володіє найбільшим коефіцієнтом підсилення.

З метою забезпечення в навантаженні необхідної потужності , в якості вихідного каскаду підсилювача використовуємо безтрансформаторну двотактну схему, яка володіє малими габаритами і широким діапазоном частот.

Рисунок 1.1 Типова структурна схема підсилювача

1.2 Попередній розрахунок вихідного каскаду

За відомою потужністю на виході =8 Вт і опором навантаження =4 Ом визначають амплітуду напруги на виході:

Розраховуються необхідні коефіцієнти підсилення за напругою і потужністю:

;

;

де,- ЕРС і внутрішній опір джерела сигналу;

- потужність на вході підсилювача при вхідному опорі .

Так як напруга джерела живлення не задана, то її необхідно визначити зі співвідношення:

,

де , n=1, ;

напруга насичення транзистора (0,5… 2 В);

амплітуда напруги сигналу на виході;

(3…5)В- запас напруги, що враховує температурну нестабільність каскаду.

В

В

З ряду номінальних джерел вибираємо двополярне джерело живлення:

В В В.

Вибираємо схему каскаду за вихідною потужністю:

Вихідна потужність – більше 1…5 Вт,

Режим транзисторів – В,

Схема каскаду-двотактний без трансформаторний каскад з ЗЕ на складених транзисторах.

Транзистори для вихідного каскаду вибираються за потужністю розсіювання на колекторі при максимальній робочій температурі, за максимальними величинами напруги і струму, а також за верхньою робочою частотою.

Якщо підсилювач забезпечує в навантаженні потужність , то орієнтовне значення потужності, що розсіюється на колекторі, буде дорівнювати:

Вт

де, - для без трансформаторного каскаду;

- коефіцієнт використання транзистора;

- коефіцієнт, що враховує тип схеми ( двотактна ).

Для забезпечення надійної роботи підсилювача потужність повинна бути менше граничної потужності розсіювання транзистора при максимальній температурі навколишнього середовища

Вибір транзистора вихідного каскаду проведемо відповідно до наступних умов:

Вт

Визначимо максимально допустиму напругу:

В

Гранична частота підсилення струму транзистора в схемі з ЗЕ в обраного транзистора повинна задовольняти умові:

Гц

Транзистор повинен забезпечити в навантаженні амплітуду струму:

А

Максимальний припустимий струм колектора повинен задовольняти умові:

А

Обраний транзистор КТ817А задовольняє умовам, які наведені вище.

Таблиця 1.1 Параметри транзистора КТ817А

Тип

Структура

МГц

Макс. доп. Параметри

Ркмакст, Вт

Iк, А

Uкэ, В

1

2

3

4

5

6

7

КТ817А

n-р-n

3

25

3

25

20

Перевіримо умову:

Гц

Для схеми на складених транзисторах, крім вихідного транзистора, необхідно вибрати комплементарну пару, що задовольняє наступним умовам:

1) Вт

2) А

3) В

4) Гц

Обрані транзистори ГТ402А, ГТ404А задовольняють умовам, які наведені вище.

Таблиця 1.2 Параметри транзисторів ГТ402А, ГТ404А

Тип

Структура

МГц

Макс. доп. Параметри

Ркмакст, Вт

Iк, А

Uкэ, В

1

2

3

4

5

6

7

ГТ402А

р-n-р

1

4

0,5

25

30

ГТ404А

n-р-n

Перевіримо умову:

Гц


На вихідних характеристиках транзистора будується лінія навантаження, що проходить через точки “P” – ( /b; 0 ) і “M” – (/b-; ), де b=2- для без трансформаторної схеми. Точки: “P” (12;0) “M”(4;2).

Рисунок 2. Вхідні та вихідні характеристики транзистора КТ817А

За амплітудою базового струму за допомогою вхідної характеристики визначається амплітуда вхідної напруги =1,1-0,65=0,45В, а за ними - вхідний опір вихідного каскаду Ом і величина ЕРС передкінцевого каскаду з вихідним опором Ом

В

Коефіцієнт підсилення кінцевого каскаду за потужністю орієнтовано визначається за формулою:

;

Орієнтовано коефіцієнт підсилення вихідного каскаду за напругою дорівнює:

;

1.3 Попередній розрахунок вхідного і проміжного каскадів

Попередній розрахунок вхідного і проміжного каскадів полягає у визначенні числа каскадів, типів і схем включення транзисторів чи мікросхем.

Амплітуда вхідної напруги і струму кінцевого каскаду:

В

Для передкінцевого каскаду вибирається транзистор з потужністю, яка розсіюється на колекторі ( стоці ),

Вт,

і максимально припустимим струмом колектора ( стоку ),

А

і максимально допустимою напругою колектор емітер:

В

Обраний транзистор КТ815В задовольняє умовам, які наведені вище.

Таблиця 1.3 Параметри транзистора КТ815А

Тип

Структура

МГц

Макс. доп. Параметри

Ркмакст, Вт

Iк, А

Uкэ, В

1

2

3

4

5

6

7

КТ815В

n-p-n

3

1

1,5

60

40

Перевіримо умову:

Гц

Коефіцієнти підсилення проміжного каскаду по потужності та напрузі:

Амплітуда вхідного струму передкінцевого каскаду:

А

Амплітуда вхідної напруги передкінцевого каскаду:

В

Вхідний опір передкінцевого каскаду:

Ом


Рисунок 3.Вихідні та вхідні характеристики транзистора КТ815В

Мікросхеми для вхідного і проміжного каскадів вибирають за величинами вхідного струму, напруги й опору наступного каскаду. У використовуваної мікросхеми припустимий опір навантаження повинен бути менше, а величини максимальної вихідної напруги і струму ( і )- більше відповідних вхідних величин наступного каскаду.

Умови вибору мікросхеми:

Параметри обраної мікросхеми представлені в таблиці 1.4

Таблиця 1.4 Параметри мікросхеми КР140УД1

Тип

Коефіцієнт підсилення, тис

Частота одиничного посилення, МГц

Швидкість наростання вихідної напруги, V В/мкс

Максимальний струм, мА

Максимальна напруга, В

Мінімальний опір, кОм

Напруга живлення, В

Струм споживання, мА

Максимальна вхідна напруга, В

Вхідний опір, кОм

Вихідний опір, Ом

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

КР140УД1

2

5

0,5

3

6

1

12,6

8

1,5

300

100

Перевіримо умову вибору:

Гц

1.4 Розподіл спотворень по каскадах

Нелінійні спотворення цілком відносять на вихідних каскад. Щоб забезпечити малий рівень нелінійних спотворень у проміжних каскадах величини струму колектора і напруги колектор-емітер у робочій точці вибирають у 1,3…1,7 рази більше амплітуд перемінних складових струму і напруги.

Орієнтовно рівень нелінійних спотворень кінцевого каскаду можна оцінити за коефіцієнтами підсилення по струму в точках “P”, “M”.

, А, А,

, А, А,

,

;

%

Величина коефіцієнта нелінійних спотворень (КНС) оцінюється за співвідношенням цих коефіцієнтів для двотактного каскаду з режимом В- вище приблизно в 1,5 рази.

< 2%

Отже місцевий НЗЗ не потрібний.

Лінійні спотворення в області нижніх частот вносяться розділовими і блокувальними конденсаторами, а також трансформаторами ( при їх наявності). Знаючи число і тип каскадів, можна визначити число елементів, що вносять спотворення, і сумарну величину спотворень:

дБ

дБ

Так як , то не треба вводити НЗЗ.

Спотворення в області верхніх частот:

дБ,

дБ,

дБ;

де .

Сумарна величина спотворень (дБ) повинна бути менше припустимої дБ.

0,24 дБ < 2 дБ, отже НЗЗ не потрібний.


2 Вибір схеми і розрахунок кінцевого каскаду

2.1 Особливості розрахунку схеми на складених транзисторах

Схема простого двотактного безтрансформаторного підсилювача наведена на рисунку 4.

Рисунок 4. Схема простого двотактового безтрансформаторного підсилювача

Складений транзистор у кінцевому каскаді, маючи високий вхідний опір, полегшує роботу передкінцевого каскаду і дозволяє одержати від нього велику амплітуду сигналу.

Методика розрахунку схеми на складених транзисторах цілком збігається з розрахунком простої схеми на комплементарних транзисторах. При цьому використовують параметри складеного транзистора, які можна визначити з наступних співвідношень:

Ом

Ом

Номінальне значення R3=R4=33 Ом.

В

де параметри транзисторів VT1, VT2;

параметри транзисторів VT3,VT4;

напруги зсуву транзисторів VT1 і VT3.

Розрахунок починається з визначення параметрів робочої точки: В і А для режиму В. На вихідних статичних характеристиках обраних транзисторів у координатах будується лінія навантаження, що проходить через точки і -

(12;0)і (0;3);



Рисунок 5.Вихідні та вхідні характеристики транзистора КТ817A

Знаючи необхідну амплітуду напруги в навантаженні , визначаємо В,

За допомогою вхідної статичної характеристики обраного транзистора, визначаємо:

А,

В, В,

мА,

А,

В, В,

В, В,

мА; А,

В;

Постійний струм бази визначається зі співвідношення:

А

Оцінюємо задану потужність:

Вт

У схемі з ЗК діє місцевий НЗЗ, глибина якого:

,

де

Резистори R1, R2 і діод VD ставляться в схемі, якщо вихідний і перед кінцевий каскади розділені конденсатором. Тоді опори R1, R2 приймають однаковими з розрахунку:

,

де

Ом

мА

Номінальне значення R1=R2=1200 Ом = 1,2 кОм

Розраховуємо потужність, що розсіюється:

Вт;


Діод вибирають таким, щоб спадання напруги на ньому складало В, при струмі мА. Вибираємо два діода типу

Рисунок 6. ВАХ діода КД520

Вхідний опір дорівнює , якщо ставиться дільник R1,VD,R2, де Ом і вхідний опір транзистора, обумовлений за вхідною характеристикою поблизу точки .

Ом;

Амплітуда напруги вхідного сигналу дорівнює:

,

де

В

І амплітуда вхідного струму дорівнює:

А = 17 мА;

Будуємо наскрізну динамічну характеристику транзистора . При цьому необхідно враховувати, що для безтрансформаторного каскаду

, де Ом.

Таблиця 1.5 Наскрізна динамічна характеристика

Точки

0

0

0

0,65

0,65

1

0,5

0,01

0,8

3,84

2

1

0,025

0,9

7,5

3

1,5

0,05

1,05

12,25

4

1,9

0,07

1,1

15,98

В,

В,

В,

В,

В;

Рисунок 7. Наскрізна динамічна характеристика

За цією характеристикою визначають коефіцієнт нелінійних спотворень по третій гармониці без обліку впливу НЗЗ.

З урахуванням дії місцевого НЗЗ коефіцієнт нелінійних спотворень по третій гармониці . Нелінійні спотворення по другій гармониці в двотактних схемах компенсуються тим краще, чим менше коефіцієнт асиметрії струму (Х) у плечах схеми. У залежності від точності застосовуваних елементів і розкиду параметрів транзисторів Х=0,1…0,5. Тоді і, з обліком НЗЗ, . Повний коефіцієнт гармонік дорівнює:

;

Ємність розділового конденсатора (при його наявності) визначається за припустимою величиною лінійних спотворень (у відносних одиницях) на частоті . Величина лінійних спотворень: ;

мкФ

Номінальне значення - мкФ.

Частотні спотворення на нижній граничній частоті будуть рівні:

дБ

Коефіцієнт частотних спотворень на верхній частоті діапазону визначається виразом: дБ.


3. Розрахунок вхідного і проміжного каскадів

3.1 Розрахунок каскаду по постійному струму

Вихідними даними для розрахунку є параметри наступного каскаду: амплітуда перемінної напруги на вході і вхідний опір .

Розрахунок проводиться в такому порядку. Визначаються параметри робочої точки транзистора, що задовольняє умовам:

А = 21 мА;

В;

Отримані значення округляємо до цілих значень: мА та В;

Визначається значення струму бази :

А = 0,52 мА;

Постійна напруга =0,7 В визначається за вхідною статичною характеристикою обраного транзистора і розрахованим струмом . Опір резистора визначається з умови:

, де …0,2 для каскаду ЗЕ.

Ом;

Номінальне значення - Ом.

Опір резистора вибирається як менше з двох значень:

Ом ,

Ом ,

Ом

Номінальне значення Ом = 0,5 кОм.

Фільтр в схему включати не потрібно, так як .

Резистори R1 і R2 визначаються за формулами:

, Ом

Ом

Ом,

де =24 В – при відсутності фільтра.

вхідний опір транзистора, а значення визначається за статичними вхідними характеристиками транзистора поблизу точки .

Номінальні значення R1=1600 Ом, R2=240 Ом.

Для всіх резисторів розраховується потужність, що розсіюється:

Вт,

Вт,

Вт,

Вт;

3.2 Розрахунок резисторного каскаду з ЗЕ

Схема каскаду наведена на рисунку 8. Вихідними даними для розрахунку є амплітуда перемінної напруги і вхідний опір каскаду, що підключається до виходу даної схеми.

Рисунок 8. Схема проміжного каскаду

Розрахунок по постійному струму проводиться за методикою розділу 3.1 Розрахунок по перемінному струму починається з визначення еквівалентному опору колекторного навантаження перемінному струму:

Ом;

Вхідний опір каскаду перемінному струму дорівнює:

,

де Ом , вхідний опір транзистора.

Ом;

Коефіцієнт підсилення каскаду по напрузі визначається за формулою:

,

де вихідна провідність транзистора, обумовлена за вихідними характеристиками поблизу робочої точки .

см

Амплітудне значення вхідної напруги дорівнює:

В;

Вхідна потужність дорівнює:

Вт = 0,5 мВт;

Ємності конденсаторів визначають з нерівностей:

,

мкФ

Номінальне значення С2=20 мкФ.

,

мкФ

Номінальне значення мкФ, де

Ом;

;

Ом;

і величини спотворень, внесених конденсаторами С2 і , які виражені у відносних одиницях;

вихідний опір попереднього каскаду чи внутрішній опір джерела сигналу для вхідного каскаду. Якщо попередній каскад з ЗК чи на мікросхемі, то Ом

Фактична величина спотворень, що внесені елементами схеми з обраними номіналами, визначається за формулами:

дБ,

дБ

Сумарна величина лінійних спотворень на нижній частоті дорівнює:

дБ

Величина лінійних спотворень на верхній граничній частоті дорівнює:

дБ

3.3 Розрахунок каскадів на мікросхемах

Розрахунок каскадів підсилення на мікросхемах полягає у виборі типу мікросхеми, здатної забезпечити на опорі амплітуду із припустимою величиною лінійних спотворень і . Для підсилення сигналів широко використовують мікросхеми операційних підсилювачів (ОП). На цих мікросхемах, застосовуючи зворотній зв’язок, можна реалізувати різні види підсилювачів.

Розрахунок каскаду по постійному струму полягає у виборі резистора фільтра . Так як необхідна напруга для мікросхем більш за джерело живлення , то фільтр не треба включати в схему. Схеми ОП у більшості випадків вимагають двох джерел живлення. Однак їх можна підключати до одного джерела . Схема підсилювача на ОП з живленням від одного джерела наведена на рисунку 9.

Рисунок 9. Схема підсилювача на ОП

При розрахунку каскаду на ОП по перемінному струму задаються величиною R2 з умови:

Ом = 3 кОм.

Номінальне значення R2=3 кОм.

Величину резистора R3 визначають за необхідною величиною коефіцієнта підсилення за напругою .

,

Ом

Номінальне значення R3=93 кОм.

Резистор R1 визначають з умови .

кОм.

Номінальне значення R1=100 кОм.

При цьому враховується, що потужність, що розсіюється на них, звичайно не перевищує 125 мВт.

Фактичний коефіцієнт підсилення каскаду за напругою:

;

Вхідний і вихідний опори:

, кОм.

де коефіцієнт підсилення, і - вхідний і вихідний опори ОП.

; Ом.

При цьому повинні виконуватися умови:

-,

-,

-;

Амплітуда вхідної напруги:

В = 7мВ.

Конденсатор С3 призначений для запобігання можливого збудження ОП на частотах вище . Його ємність дорівнює:

пФ;

Номінальне значення: С3=33 пФ.

Конденсатор С2 призначений для збільшення глибини НЗЗ за постійним струмом, що зменшує дрейф нуля ОП і стабілізує роботу каскаду. Ємність конденсатора визначають з умови:

мкФ;

Номінальне значення: С2=5 мкФ.

Ланцюжок забеспечує стійкість підсилювача, його конфігурація та параметри визначаються типом мікросхеми і вибираються за довідником.

Ом, пФ.

Ємність розділового конденсатора С4 визначається за формулою:

мкФ;

Номінальне значення: С4=200 мкФ.

Величина спотворень, фактично внесених на нижній граничній частоті , дорівнює:

дБ,

а на верхній граничній частоті дорівнює: дБ.


4 Розрахунок узагальнюючих параметрів і схеми НЗЗ

4.1 Розрахунок якісних показників підсилювача

Якість підсилювача характеризується ступенем його відповідності технічному завданню. Найбільшою мірою це відображає коефіцієнти підсилення К, і величини спотворень , і .

Коефіцієнт підсилення за напругою визначається як добуток коефіцієнтів підсилення за напругою окремих каскадів , розрахованих раніше:

;

Цей коефіцієнт має бути більше необхідного:

Ємність першого розділового конденсатора на вході підсилювача визначається зі співвідношення:

,

де внутрішній опір джерела сигналу,

вхідний опір першого (вхідного) каскаду.

мкФ;

Номінальне значення: мкФ.

Величина спотворень, внесених ємністю, дорівнює:

дБ;

Тоді,

дБ.

дБ

де , - величини лінійних спотворень, внесених і-им каскадом. Отримані величини не повинні перевищувати заданих:

, дБ

, дБ

4.2 Розрахунок електричних параметрів підсилювача

Величина споживаного струму визначається за відомими з попередніх розрахунків величинами колекторних (стокових) струмів спокою вхідного і проміжного каскадів , постійною складовою струму колектора вихідного каскаду , а також за струмами дільників базового зсуву всіх каскадів, включаючи вихідний ( при наявності):

А.

У двотактному каскаді режиму В- =0,637.

Потужність, споживана від джерела живлення,

Вт.

ККД підсилювача дорівнює:


Висновок:

В ході курсового проекту був розрахован трьохкаскадний підсилювач потужності. Був вибран двотактний безтрансформаторний каскад, зібраний по схемі з загальним емітером (ЗЕ) на складених транзисторах. Наведені принципові схеми, вольт-амперні характеристики (ВАХ) транзисторів, діода, наскрізна динамічна характеристика.

Список літератури:

1. Гусев В.Г. Злектроника. - М.: Высшая школа. 1991. 622с.

2. Лавриненко В. Ю. Справочник по полупроводниковым приборам. -К.: Техника 1984. 424с.

3. Методические указания к курсовой работе по дисцеплине «Злектронные устройства ЖАТС». Часть З -X.: ХИИТ, 1988. 37с.

4. Методичні вказівки до курсового проекту з дисципліни « Електроніка та мікросхемотехніка». Часть 1 - X.: УкрДАЗТ. 2003. 62с.

5. Мощные полупроводниковые приборы. Транзисторы. Справочник Под. ред. Голомедова. - М.: Радио и связь, 1985. 560 с.

6. Полупроводниковые приборы: Транзисторы. Справочник. Под общей редакцией Н. Н. Горюнова. Издание второе, переработанное.. М.: Знергоатомиздат 1985. 902 с.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений08:20:16 19 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
12:26:06 29 ноября 2015
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
22:40:34 28 ноября 2015

Работы, похожие на Курсовая работа: Підсилювач потужності

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(150052)
Комментарии (1830)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru