Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС

Название: Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: реферат Добавлен 09:51:23 07 июня 2009 Похожие работы
Просмотров: 449 Комментариев: 2 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИНФОРМАТИКИ И РАДИОЭЛЕКТРОНИКИ

КАФЕДРА РЭС

РЕФЕРАТ

НА ТЕМУ:

«Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС»

МИНСК, 2009


Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах

Начиная с середины 80-х годов прошлого столетия, прогресс в создании комплементарных МДП-схем (КМДП-схем) позволил значительно улучшить их характеристики такие как высокое быстродействие и малую потребляемую мощность, совместимость с семейством TTL-ИМС.

КМДП-логика является одновременно наиболее подходящей и самой простой для создания логических схем.

В настоящее время КМДП-схемы (КМОП-схемы) составляют подавляющую часть мирового рынка ИМС. В большинстве новых СБИС типа микропроцессоров и блоков памяти использована КМДП-технология.

Основные свойства ЛЭ на дополняющих МДП-транзисторах (КМДП-ИМС), выгодно отличающие их от ИМС на МДП-транзисторах n-типа:

1.малая потребляемая мощность в статическом режиме (микроватты);

2.высокое быстродействие;

3.высокая помехоустойчивость за счет большого перепада уровней сигналов логических 1 (3. 5... 5.0 В) и 0 (0... 1.5 В);

4.новые логические возможности за счет взаимодополняющих структур;

5.высокая нагрузочная способность (n>20).

Логические КМДП-элементы отличаются тем, что для каждого логического входа необходимо применять транзистор n-типа и связанный с ним по затвору транзистор р-типа.

На основе КМДП могут быть построены элементы ИЛИ-НЕ положительной логики при параллельном включении транзисторов n-типа и последовательном включении транзисторов р-типа и элементы ИЛИ-НЕ отрицательной логики при параллельном включении транзисторов р-типа и последовательном включении транзисторов n-типа.


Рис. 1. ЛЭ на комплементарных МДП-транзисторах:

а) схема элемента ИЛИ-НЕ б) схема элемента И-НЕ


Для построения элемента ИЛИ-НЕ на m входов потребуется последовательное (ярусное) включение m транзисторов р-типа и параллельное включение m транзисторов n-типа (положительная логика). Обычно коэффициент объединения по входу m4. Соответственно для выполнения элемента И-НЕ на m входов потребуется ярусное включение m транзисторов n-типа и параллельное включение m транзисторов р-типа (положительная логика).

На рис. 1 приведены двухвходовые элементы ИЛИ-НЕ и И-НЕ положительной логики на KMДП. Рассмотрим подробнее работу элемента ИЛИ-НЕ.

При поступлении на вход логической 1 (напряжение, близкое к +U) открывается транзистор n-типа, а связанный с ним по затвору транзистор р-типа запирается. На выходе формируется уровень логического 0, близкий к потенциалу общей шины.

Когда на входы и Х2 поданы одинаковые уровни логического 0, то оба транзистора n-типа запираются и отпираются оба транзистора р-типа, что приводит к формированию на выходе уровня логической 1, близкою к +U. Так как в состоянии Y=0 открыт транзистор n-типа, а в состоянии Y=l открыты транзисторы р-типа, то перезаряд емкости нагрузки всегда осуществляется через открытый МДП-транзистор.

Сравнивая схемы И-НЕ и ИЛИ-НЕ следует отметить их различные характеристики. При одной и той же площади кремниевого кристалла, транзистор с каналом n-типа имеет меньшее сопротивление в «открытом» состоянии, чем транзистор с каналом р-типа. Поэтому у последовательно включенных k транзисторов с n-каналом сопротивление в «открытом» состоянии меньше, чем у k транзисторов с р-каналом. В результате быстродействие схемы И-НЕ с k входами обычно выше и предпочтительнее, чем у k-входовой схемы ИЛИ-НЕ, и поэтому схемы И-НЕ предпочтительнее.

КМДП-схемы с числом входов больше двух можно очевидным способом получить путем последовательно-параллельного расширения схем, представленных на рис.2. В принципе можно создавать КМДП-схемы И-НЕ и ИЛИ-НЕ с очень большим числом входов. Однако на практике сопротивление последовательно включенных «открытых» транзисторов обычно ограничивает коэффициент объединения по входу (число входов, которые может иметь вентиль в конкретном логическом семействе) у КМДП-схем числом 4 для вентилей ИЛИ-НЕ, и числом 6 для вентилей И-НЕ.

В КМДП-схемах при любой комбинации входных сигналов выход никогда не бывает соединен одновременно с шиной питания и с землей; в этом случае напряжение на выходе было бы где-то посередине между низким и высоким уровнями (между 0 и 1) и не соответствовало бы ни одному из логических уровней, а выходная цепь потребляла бы чрезмерно большую мощность из-за малого сопротивления между шиной питания и землей.

Поскольку в статическом состоянии транзисторы n- и р-типов не могут быть открыты одновременно, статическая мощность равна напряжению источника питания, умноженному на ток утечки закрытого прибора. Эта мощность составляет 0, 1 ... 1 мкВт/вентиль.

Динамическая мощность КМДП-БИС значительно больше, но это имеет место лишь при перезарядке паразитных емкостей нагрузки во время действия фронта импульса. Динамическая мощность ИМС может быть определена как:

где Сн – емкость нагрузки;

fp – рабочая частота;

U – напряжение источника питания;

Для снижения динамической мощности необходимо уменьшать паразитные емкости затворов в составе БИС, то есть переходить на субмикронные размеры МДП-транзисторов.

Поскольку пороговое напряжение р-канального прибора Uop выше, чем у n-канального , напряжение питания должно быть выше Uop . В этом случае обеспечивается высокая помехоустойчивость ЛЭ и хорошее быстродействие.

Типовые значения мощности, потребляемой в динамическом режиме отдельными КМД-ИМС при различных частотах, находятся в пределах:

50. . .100 мкВт/вентиль при fp =100 кГц;

200. . .400 мкВт/вентиль при fp =400 кГц;

500... 1000 мкВт/вентиль при fp =l МГц;

В составе БИС эти значения уменьшаются еще на один-два порядка.

Указанные значения мощности в 5…1О раз ниже, чем у вентилей, выполненных на основе МДП-транзисторов одной структуры.

Построение ЛЭ на основе КМДП отличается высокой гибкостью. Например, на четырех транзисторах р-типа и четырех транзисторах n-типа путем изменения схемы соединения могут быть получены девять видов элементов, выполняющих различные логические функции.

Наряду с технологическими трудностями сравнительно большое число компонентов на функцию создает дополнительные ограничения для создания КМДП-БИС по сравнению с МДП-БИС n-типа. Однако сверхмалая мощность КМДП-ИИС и высокое быстродействие обеспечили широкое применение ИМС сверхвысокой степени интеграции (БИС и СБИС) на комплементарных МДП-структурах.

Неинвертирующие вентили

В КМДП-логике и в большинстве других логических семейств простейшими являются схемы инверторов, а следом за ними идут элементы И-НЕ и ИЛИ-НЕ. Обычно невозможно создать неинвертирующий вентиль с меньшим числом транзисторов, чем в простом инверторе.

Неинвертирующий КМДП-буфер, а также логические схемы И и ИЛИ получаются в результате подключения инвертора к выходу соответствующего инвертирующего элемента. Реализованные таким образом неинвертирующий буфер и логический элемент И показаны на рис. 2, в и рис. 3, г соответственно.

Комбинация схемы, приведенной на рис. 1,а с инвертором даст логический элемент ИЛИ.

Рис. 2. Неинвертирующий КМДП - буфер:

а) схема электрическая принципиальная;

б) функциональное обозначение;

в) табл., описывающая работу схемы (зт-закрыт;от-открыт)


Рис. 3. Входовая КМДП-схема И

Логические элементы с вентильным и блокирующим КМДП-

транзисторами

ЛЭ этой разновидности построены с учетом положительных вентильных свойств МДП-транзисторов. В каждом двуxвxoдoвoм ЛЭ с вентильным и блокирующим КМДП-транзисторами (КМДП с ВБ) имеется один собственно вентилирующий МДП-транзистор n-типа (или р-типа) и связанный с ним по затвору второй, блокирующий МДП-транзистор р-типа (n-типа). Объединенные затворы вентильного и блокирующего транзисторов (ВТ и БТ) во всех случаях являются одним из логических входов ЛЭ, сток ВТ — вторым логическим входом, а объединенные истоки ВТ и БТ — выходом ЛЭ. Роль ВТ может выполнять транзистор n- или р-типа, а БТ может быть подключен своим стоком либо к источнику питания, либо к общему проводу. Во всех вариантах включения ВТ и БТ выполняется функция И с запретом (НЕ, И) с инверсией или без инверсии по выходу.


Рис. 4. Варианты включения вентильных и блокирующих транзисторов:

а, б – для положительной логики;

в, г – для отрицательной логики

На рис. 4 показаны четыре возможных варианта включения ВТ и БТ. В дальнейшем будем рассматривать логические схемы и устройства, работающие в положительной логике, так как ЛЭ отрицательной логики работают аналогично.

На рис. 4, а показана схема ЛЭ, выполняющего функцию НЕ, И-НЕ, где в качестве ВТ использован транзистор n-типа, а в качестве БТ – транзистор р-типа, подключаемый к источнику +U.

В схеме ЛЭ, выполняющего функцию НЕ, И (рис. 4, б), в качестве ВТ использован транзистор р-типа, а в качестве БТ — транзистор n-типа, подключаемый к общей шине. Кратко проанализируем его работу.

При сочетании сигналов =l, X2 =1 будет открыт БТ и на выходе Y потенциал общей шины (Y=0). При сочетании сигналов =0, вновь открыт БТ и Y=0. При сочетании сигналов , X2 =0 открыт уже ВТ, но гак как , то на выходе Y будет потенциал общейшины (Y=0). Лишь при сочетании сигналов , X2 =0 вентильныйтранзистор р-типа будет открыт и передаст на выход Y сигнал (Y=1).

(Работу схем в,г предлагается рассмотреть самостоятельно).

Особенностью ЛЭ на КМДП с ВБ является то, что при закрытом ВТ выход элемента надежно подключается через открытый БТ либо к источнику питания U, либо к общей шине, что обеспечивает высокую помехоустойчивость рассматриваемых ИМС, как это имеет место у традиционных КМДП-ИМС.

Большие функциональные возможности открываются при проектировании цифровых устройств при совместном применении ИМС на КМДП с ВБ, выполняющих функции НЕ, И и НЕ, И-НЕ с КМДП-ИМС, выполняющих функции И-НЕ и ИЛИ-НЕ.

На рис. 5 приведена схема ЛЭ, выполняющего функцию 4И-НЕ, причем два входа этой схемы являются инверсными, что обеспечивается за счет подключения двух схем НЕ, И на КМДП с ВБ к традиционной двухвходовой схеме И-HE.

Если вместо схемы И-НЕ применить двухвходовую схему ИЛИ-НЕ, то на тех же восьми дополняющих МДП-транзисторах будет реализована функция НЕ, И-ИЛИ-НЕ (рис. 2.26).

Анализируя схемы на рис. 5 и 6, можно увидеть, что схемы на КМДП с ВБ реализуют все функции, присущие элементам T-TTL. Применяя сочетания схем НЕ, И и НЕ, И-НЕ на КМДП с ВБ, подключаемых к входам традиционных схем И-НЕ, ИЛИ-НЕ и И-ИЛИ-НЕ, можно получить новые виды реализуемых функций, которые позволяют построить экономичные схемы триггеров, сумматоров, дешифраторов и других цифровых устройств.

Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС

Рис. 5. Логический элемент НЕ, И-НЕ на КМДП с ВБ:

а) схема элемента 4И-НЕ; 6) функциональное обозначение

Рис. 6. Логический элемент на КМДП с ВБ:

а) схема элемента НЕ, И-ИЛИ-НЕ; б) функциональное обозначение

Рассмотренные типовые схемы ЛЭ TTL-, T-TTL, ECL-, ИЛ-типов характеризуются универсальностью, так как предназначены для автономного применения в цифровых устройствах, при котором должно быть обеспечено высокое быстродействие передачи сигналов при хорошей помехоустойчивости и сравнительно высокой нагрузочной способности (типовые значения n=5…10). Однако использование этих элементов в составе кристалла БИС, где внутрисхемные связи имеют невысокую протяженность, сравнительно небольшую нагрузку и, следовательно, имеют низкую помехоустойчивость, позволяет упростить их конфигурацию и резко увеличить плотность упаковки ЛЭ в кристалле БИС. Упрощение схем ЛЭ позволяет значительно уменьшить число компонентов на реализацию вентилей И-НЕ, ИЛИ-НЕ, уменьшить потребляемую мощность и обеспечить качественный скачок при создании СБИС большой функциональной сложности.

Оценивая многообразие реализаций ЛЭ ИМС, необходимо выделить ряд наиболее приемлемых технологий БИС и СБИС, получивших наиболее широкое применение. К таким технологиям относятся биполярные и маломощные TTL-микросхемы с диодами Шотки, инжекционные логические микросхемы (ИЛ), микросхемы эмиттерно-связанной логики (ECL) и в части МДП-технологии микросхемы на полевых транзисторах. Сравнительные характеристики ЛЭ БИС для этих технологий приведены в табл.1, где отражены относительные величины важнейших параметров.

Таблица 1. Сравнительные характеристики типовых элементов

биполярной и МДП-технологий.

Тип ИМС Относительная плотность упаковки* Удельная мощность мВт/вентиль Достижимая задержка на вентиль, нс
TTL-Ш 6 6 1
ИЛ 10 2 2
ECL 1 20 0,3
n-МДП 10 3 3
КМДП 8 0,01 1

*) За единицу взята площадь размещения на кристалле ECL-вентиля.

Прогресс в отношении быстродействия и плотности ИС за последние десятилетия, отражает закон Мура, впервые сформулированный основателем фирмы Intel Гордоном Муром в 1965г. и состоящий в том, что число транзисторов, приходящихся на квадратный дюйм в ИС, каждый год удваивается.

В последние годы темп этого движения несколько замедлился: удвоение происходит теперь каждые 18 месяцев; но важно отметить, что одновременно с удвоением плотности также вдвое увеличивается быстродействие схем.

То есть полупроводниковая техника развивается по экспоненциальному закону.

Когда только появились ИС, в одном корпусе было порядка дюжины транзисторов. Сегодня в результате экспоненциального роста плотности упаковки микропроцессоры преодолели отметку в 10 миллионов транзисторов на один кристалл. Эксперты утверждают, что менее чем через 10 лет это число достигнет 100 миллионов.


ЛИТЕРАТУРА

1. Новиков Ю.В. Основы цифровой схемотехники. Базовые элементы и схемы. Методы проектирования. М.: Мир, 2001. - 379 с.

2. Новиков Ю.В., Скоробогатов П.К. Основы микропроцессорной техники. Курс лекций. М.: ИНТУИТ.РУ, 2003. - 440 с.

3. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Цифровые устройства: Учеб. пособие для ВТУЗов. СПб.: Политехника, 2006. - 885 с.

4. Преснухин Л.Н., Воробьев Н.В., Шишкевич А.А. Расчет элементов цифровых устройств. М.: Высш. шк., 2001. - 526 с.

5. Букреев И.Н., Горячев В.И., Мансуров Б.М. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. М.: Радио и связь, 2000. - 416 с.

6. Соломатин Н.М. Логические элементы ЭВМ. М.: Высш. шк., 2000. - 160 с.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений06:51:48 19 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
16:16:49 25 ноября 2015

Работы, похожие на Реферат: Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(150782)
Комментарии (1840)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru