Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Лабораторная работа: Исследование сегнетоэлектриков

Название: Исследование сегнетоэлектриков
Раздел: Рефераты по физике
Тип: лабораторная работа Добавлен 13:58:42 08 июня 2009 Похожие работы
Просмотров: 1706 Комментариев: 2 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

Кафедра конструирования и технологии электрической изоляции

Лабораторная работа

Тема: Исследование сегнетоэлектриков

2007


Цель работы: исследование основных диэлектрических свойств сегнетоэлектриков в зависимости от напряженности внешнего электрического поля и температуры осциллографическим методом.

Основные сведения из теории

Сегнетоэлектриками называется особая группа диэлектриков, которая ниже определенной температуры или в некотором интервале температур обладает самопроизвольной (спонтанной) поляризацией, т.е. находятся в поляризованном состоянии при отсутствии внешнего электрического поля. Свое название они получили от сегнетовой соли, которая явилась исторически первым сегнетоэлектриком.

Все известные сегнетоэлектрики можно разделить на две основные группы: протонные сегнетоэлектрики – вещества, содержащие водород (сегнетова соль, смешанные кристаллы, родственные сегнетовой соли, дигидрофосфаты и дигидроарсенаты калия, аммония и их дейтеро-замещенные соли) и вещества не содержащие водорода (титанат бария, титанат свинца, родственные по структуре изоморфные смеси титаната бария и другие соединения). По структуре, составу и свойствам эти две группы значительно отличаются друг от друга. Первая группа сегнетоэлектриков характеризуется сложной структурой, в них причиной возникновения спонтанной поляризации принято считать протон. Эти кристаллы имеют спонтанную поляризацию при низких температурах, отличаются хрупкостью, вследствие чего их практическое применение затруднено и несколько ограничено.

Вторую группу составляют беспротонные сегнетоэлектрики, отличительной особенностью структуры которых является октаэдрическое окружение ионами кислорода меньшего по размерам катиона. Это группу называют сегнетоэлектриками кислородно-октаэдрического типа. Благодаря высоким электрическим характеристикам, простоте получения, разнообразию свойств сегнетоэлектрики второй группы находят широкое применение в различных областях техники.

Наличие спонтанной поляризации определяет ряд особых свойств сегнетоэлектриков.

- Высокая диэлектрическая проницаемость.

- Нелинейная зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и наличие точки Кюри (рис. 1).

- Нелинейная зависимость вектора спонтанной поляризации и диэлектрической проницаемости от напряженности внешнего электрического поля (рис. 2).

- Диэлектрический гистерезис (рис. 3).

- Пьезоэффект.

Рис. 1. Температурная зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика Рис. 2. Зависимость поляризованности Р и диэлектрической проницаемости e сегнетоэлектрика от напряженности внешнего электрического поля

Из теорий сегнетоэлектричества известны: термодинамическая – наиболее полная и строгая, и теория локальных минимумов – менее строгая, но более наглядная.

Самопроизвольная поляризация возникает в веществах, имеющих доменную структуру. Домен – макроскопическая область, внутри которой электрические моменты отдельных частиц равны по величине и расположены параллельно.

Согласно термодинамической теории доменная структура в веществе возникает в том случае, если при этом за счет упорядоченного расположения частиц обеспечивается минимум полной энергии системы.

Для характеристики степени упорядоченности частиц в сегнетоэлектрике Гинзбург выбрал величину квадрата вектора поляризованности, так как величина свободной энергии не зависит от его направления, и свободную энергию однодоменного изотропного ненапряженного кристалла сегнетоэлектрика выразил в виде следующего ряда:

(1)

где F0 – свободная энергия кристалла в параэлектрической фазе;

P – модуль вектора поляризованности;

– коэффициенты разложения, зависящие от свойств вещества, причем

= const(T).

Рис. 3. Петля гистерезиса cегнето-электрика: PR – остаточная поляризован-ность; Ec – коэрцитивное поле

Рис. 4. Зависимость свободной энергии F сегнетоэлектрика от поляризованности P

(PS – спонтанная поляризованность)


Из анализа соотношения (1) следует, что устойчивое состояние спонтанной поляризации, соответствующее минимуму свободной энергии:

Возможно только после того, как коэффициент при переходе через некоторую температуру T0 изменит знак и приобретет отрицательное значение (рис. 4):

(2)

Физическая картина образования доменной структуры у сегнетоэлектриков кислородно-октаэдрического типа (титаната бария) описывается теорией локальных минимумов, предложенных Мэзоном и Маттиасом. Элементарная ячейка титаната бария представляет собой куб, в вершинах которого находятся ионы Ba2+, в центрах – ионы O2–, внутри куба – ион Ti4+ (рис. 5).

Рис. 5. Элементарная ячейка титанита бария


Ион титана располагается в пределах кислородного октаэдра, размеры которого много больше размеров иона титана. Это дает возможность иону титану колебаться, смещаясь к одному из ионов кислорода, и образовывать с ним частично ковалентную связь. Ковалентная связь удерживает ион титана в смещенном состоянии. Поскольку в этом случае центры положительного и отрицательного зарядов не совпадают, возникает электрический момент элементарной ячейки. Этот момент действует на соседние ионы титана, заставляя их смещаться в том же направлении. В результате появляется область кристалла с одинаково ориентированными электрическими моментами отдельных ячеек.

При кристаллизации вещества все 6 возможных направлений смещения иона титана являются равновероятными, поэтому возникающие домены взаимно уравновешиваются и кристалл в целом не обладает электрическим моментом.

При наложении внешнего электрического поля облегчается переброс ионов титана к тем ионам кислорода, образование ковалентной связи с которыми приводит к появлению момента, т. е. наблюдается рост доменов в направлении внешнего поля. Этим объясняется возрастание спонтанной поляризации с ростом электрического поля. Насыщение соответствует моменту полной ориентации всех доменов вдоль поля (см. рис. 2).

С увеличением температуры возрастает энергия теплового движения, благодаря чему облегчается разрушение старой ковалентной связи и образование новой, при которой электрический момент элементарной ячейки направлен вдоль поля. Таким образом, в случае многодоменного кристалла нагрев облегчает переориентацию доменов и приводит к увеличению спонтанной поляризации. При достижении определенной температуры хаотическое движение иона титана становится настолько интенсивным, что он колеблется внутри кислородного октаэдра, не создавая устойчивой ковалентной связи ни с одним из ионов кислорода. Можно считать, что в среднем он находится в центре октаэдра, и электрический момент элементарной ячейки становится равным нулю. Спонтанная поляризация исчезает. В этом физический смысл температуры Кюри.

Рис. 6. Зависимость диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от температуры

Согласно термодинамической теории сегнетоэлектричества диэлектрическая проницаемость при воздействии внешнего электрического поля и температурах, близких к температуре Кюри, изменяется следующим образом (рис. 6):

(3)

(4)

где – производная от по в точке Т = Т0.


Термодинамическая теория позволяет объяснить явление диэлектрического гистерезиса.

Расчетная часть

Начальные условия:

h - толщина сегнетоэлектрика

d – диаметр обкладки

S - площадь сегнетоэлектрика:

П - площадь петли гистерезиса .


Подать напряжение 60 В на образцовый конденсатор. На экране осциллографа будет видна наклонная прямая, соответствующая зависимости заряда образцового конденсатора от приложенного напряжения.

Определить отклонения X и Y и вычислить:

а) масштаб по горизонтальной оси электронно-лучевой трубки осциллографа:

,

где -амплитуда приложенного напряжения;

- показание вольтметра;

- отклонение от горизонтальной оси, соответствующее амплитуде приложенного напряжения;

б) масштаб по вертикальной оси электронно-лучевой трубки осциллографа:

,

где -заряд, соответствующий амплитудному значению напряжения на обкладках образцового конденсатора ;

-напряжение на образцовом конденсаторе,

;

- ёмкость градуировочного конденсатора

- отклонение от вертикальной оси.

в) диэлектрическая проницаемость сегнетоэлектрика:

,

где - ёмкость конденсатора из сегнетоэлектрика, [Ф]

,

- толщина образца

- площадь обкладок

г) тангенс угла диэлектрических потерь сегнетоэлектрика:

Диэлектрические потери в общем случае выражаются уравнением

.

Отсюда

Мощность потерь вычисляется по формуле

,

где - площадь петли гистерезиса, ;

;

Результаты вычислений записать в табл.1 и 2

Таблица 1

,

, , , , , , , ,
18 30 60 2 0,1 2,857 4,71 0,269 0,634

Таблица 2

, , , , ,
18 30 84,85 8,081 0,095 13702 840 60 4,959

При помощи ЛАТРа и вольтметра изменять напряжение на сегнетоэлектрике от 150 В до 30 В с интервалом 20 В, отсчитывая ординаты вершин кривой.

Таблица 3

150 40 40 188,4 10,76 0,057 8200 840 8,26 1884
130 34 38 160,14 10,22 0,064 9210 760 6,66 1601,4
110 30 36 141,3 9,68 0,069 9930 670 5,45 1413
90 24 33 113,04 8,88 0,079 11370 600 4,26 1130,4
70 19 29 89,5 7,8 0,087 12520 430 2,77 895
50 13 22 61,2 5,92 0,097 13960 300 1,73 612
30 8 10 37,68 2,69 0,071 10220 130 1,03 376,8

График зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от напряженности электрического поля в образце.

График зависимости тангенса угла диэлектрических потерь от напряженности электрического поля в образце.

Таблица 4

30 35 40 45 50 55 60 65 70 75 80 85 90
9 9 9 9 10 12 10 10 12 13 17 22 24

График зависимости ординаты Y от температуры

При температуре и Y=12(мм) появляется точка схожая с точкой Кюри(на этом участке она является точкой Кюри, но с увеличением t возможно появление других точек Кюри).

Затем подключим сегнетоэлектрик и подадим напряжение U=150 (В). При охлаждении фиксируем значения Y и X через каждые 10 секунд. Рассчитываем оставшиеся неизвестные величины и заносим их в таблицу.


Таблица 5

t, C X, мм Y, мм Um, B

Qm,

Кл (10-6)

Cx,

Ф (10-6)

 П, мм tg
90 38 16 141,600 5,120 3,6 5,200 1840 0,0004538
80 37 17 113,100 5,440 4,8 6,917 1440 0,0002670
70 36 22 84,800 7,040 8,3 11,938 960 0,0001031
60 36 23 56,600 7,360 13,0 18,699 234 0,0000160
50 35 23 28,300 7,360 26,0 37,398 57 0,0000020
40 35 25 14,14 8,000 56,6 81,358 8 0,0000001

График зависимости диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрика от температуры

График зависимости тангенса угла диэлектрических потерь от температуры

Вывод: на графиках наблюдается нелинейная зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от температуры и напряжённости внешнего электрического поля, что соответствует свойствам сегнетоэлектриков.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений07:22:21 19 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
15:50:43 25 ноября 2015

Работы, похожие на Лабораторная работа: Исследование сегнетоэлектриков
Кристаллы в природе
Содержание ВВЕДЕНИЕ 3 Тепловые и механические свойства твёрдых тел I. Симметрия кристаллов 1.1 Как растут кристаллы 5 1.2 Идеальная форма кристаллов 7 ...
Так как каждый домен имеет большой дипольный момент, то диэлектрическая проницаемость таких диэлектриков обычно очень велика, порядка 104. диэлектрики такого типа называют ...
Таким образом, зависимость поляризации от напряжённости переменного электрического поля для сегнетоэлектриков описывается кривой BDFLHB, называемой петлей гистерезиса.
Раздел: Рефераты по физике
Тип: реферат Просмотров: 7497 Комментариев: 4 Похожие работы
Оценило: 10 человек Средний балл: 2.9 Оценка: 3     Скачать
Диэлектрические композиты на основе модифицированного субмикронного ...
ВЫПУСКНАЯ КВАЛИФИКАЦИОННАЯ РАБОТА ИНЖЕНЕРА (Дипломная работа) Тема: Диэлектрические композиты на основе модифицированного субмикронного титаната бария ...
конденсаторная сегнетокерамика, как и любой диэлектрик, для производства обычных конденсаторов, должна иметь наибольшую величину диэлектрической проницаемости с малой зависимостью ...
Они обладают рядом электрических и оптических свойств, характерных для сегнетоэлектриков: резким фазовым переходом, сопровождающимся аномалиями тепловых, диэлектрических и ...
Раздел: Рефераты по химии
Тип: дипломная работа Просмотров: 5046 Комментариев: 1 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Основные электроматериалы
Задания контрольной работы 1. Перечислить основные механизмы поляризации с указанием их главных особенностей. Приведите классификацию диэлектриков по ...
После снятия электрического поля ионно-релаксационная поляризация постепенно ослабевает по экспоненциальному закону: с повышением температуры диэлектрическая проницаемость ...
Однако, при некотором значении напряженности электрического поля может произойти насыщение, т.е. элементарные электрические моменты в каждом из доменов принимают направление ...
Раздел: Рефераты по физике
Тип: контрольная работа Просмотров: 4518 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Применение сегнетоэлектриков в приборостроении
Введение Сегнетоэлектриками называются вещества, обладающие спонтанной электрической поляризацией, которая может быть обращена приложением ...
Конденсаторная сегнетокерамика, как и любой диэлектрик, для производства обычных конденсаторов, должна иметь наибольшую величину диэлектрической проницаемости с малой зависимостью ...
В простейшем случае им приходится работать при одновременном воздействии переменного (синусоидального) и постоянного электрических полей, причем Е_ >> E~. Как отмечалось, изменение ...
Раздел: Рефераты по науке и технике
Тип: реферат Просмотров: 1864 Комментариев: 4 Похожие работы
Оценило: 4 человек Средний балл: 4.3 Оценка: неизвестно     Скачать
Исследование методов наблюдения доменов в тонких ферромагнитных ...
СОДЕРЖАНИЕ Перечень определений, обозначений и сокращений Введение 1 Теоретическая часть 1.1 Магнетизм 1.2 Элементарные носители магнетизма 1.3 ...
... более сложных молекул (в которых мы имеем долю не с простой электростатической связью противоположно заряженных ионов), так и в энергии связи в построенных из нейтральных атомов ...
Если ферромагнитный образец разбит, как показано на рисунке 44б, на домены, в которых направление спонтанной намагниченности перпендикулярно поверхности образца, то благодаря ...
Раздел: Рефераты по физике
Тип: дипломная работа Просмотров: 1520 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Жидкие кристаллы
ВВЕДЕНИЕ. Сенсация года. Некоторое время тому назад необычной популярностью в США пользовалась новинка ювелирного производства, получившая название ...
Двигаясь под действием электрического тока поперек направления директора (мы считаем, что поле приложено поперек директора), ионы, сталкиваясь с молекулами-палочками, будут ...
По аналогии с оптическими волокнами в тонком слое жидкого кристалла также может быть реализован волноводный режим распространения света вдоль слоя, если обеспечить соответствующее ...
Раздел: Рефераты по химии
Тип: реферат Просмотров: 2210 Комментариев: 6 Похожие работы
Оценило: 8 человек Средний балл: 4 Оценка: 4     Скачать
Устройство конденсатора
Министерство образования РФ. ГОУ НПО СО Профессиональный лицей № 16 Курсовая работа "Конденсаторы" Исполнитель: учащийся ПЛ. № 16 группы Р-316 Пьянков ...
При этом у керамических конденсаторов с открытым междуэлектродным зазором возможно снижение сопротивления изоляции или электрический пробой за счет миграции ионов металла обкладок ...
Несмотря на то что допускаемое значение напряженности электрического поля в диэлектрике конденсатора при его испытаниях выбирается с некоторым запасом, эксплуатация под ...
Раздел: Промышленность, производство
Тип: курсовая работа Просмотров: 3776 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Безкорпусная герметизация полупроводниковых приборов
Московский Государственный Открытый Университет Факультет информатики и радиоэлектроники Кафедра электронных приборов. Пояснительная записка по ...
Диэлектрическая проницаемость при тех же условиях соответственно равна 3,5 и 5,5. Влагонабухаемость не превышает 1%. Электрическая прочность 20 кВ/мм.
Кристаллы с напылённым защитным слоем выдерживают в течение нескольких минут при комнатной температуре до полного испарения растворителя, а затем нагревают до 200 С. В результате ...
Раздел: Рефераты по технологии
Тип: реферат Просмотров: 1487 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 1 человек Средний балл: 2 Оценка: неизвестно     Скачать

Все работы, похожие на Лабораторная работа: Исследование сегнетоэлектриков (1365)

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(151081)
Комментарии (1843)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru