Банк рефератов содержит более 364 тысяч рефератов, курсовых и дипломных работ, шпаргалок и докладов по различным дисциплинам: истории, психологии, экономике, менеджменту, философии, праву, экологии. А также изложения, сочинения по литературе, отчеты по практике, топики по английскому.
Полнотекстовый поиск
Всего работ:
364150
Теги названий
Разделы
Авиация и космонавтика (304)
Административное право (123)
Арбитражный процесс (23)
Архитектура (113)
Астрология (4)
Астрономия (4814)
Банковское дело (5227)
Безопасность жизнедеятельности (2616)
Биографии (3423)
Биология (4214)
Биология и химия (1518)
Биржевое дело (68)
Ботаника и сельское хоз-во (2836)
Бухгалтерский учет и аудит (8269)
Валютные отношения (50)
Ветеринария (50)
Военная кафедра (762)
ГДЗ (2)
География (5275)
Геодезия (30)
Геология (1222)
Геополитика (43)
Государство и право (20403)
Гражданское право и процесс (465)
Делопроизводство (19)
Деньги и кредит (108)
ЕГЭ (173)
Естествознание (96)
Журналистика (899)
ЗНО (54)
Зоология (34)
Издательское дело и полиграфия (476)
Инвестиции (106)
Иностранный язык (62792)
Информатика (3562)
Информатика, программирование (6444)
Исторические личности (2165)
История (21320)
История техники (766)
Кибернетика (64)
Коммуникации и связь (3145)
Компьютерные науки (60)
Косметология (17)
Краеведение и этнография (588)
Краткое содержание произведений (1000)
Криминалистика (106)
Криминология (48)
Криптология (3)
Кулинария (1167)
Культура и искусство (8485)
Культурология (537)
Литература : зарубежная (2044)
Литература и русский язык (11657)
Логика (532)
Логистика (21)
Маркетинг (7985)
Математика (3721)
Медицина, здоровье (10549)
Медицинские науки (88)
Международное публичное право (58)
Международное частное право (36)
Международные отношения (2257)
Менеджмент (12491)
Металлургия (91)
Москвоведение (797)
Музыка (1338)
Муниципальное право (24)
Налоги, налогообложение (214)
Наука и техника (1141)
Начертательная геометрия (3)
Оккультизм и уфология (8)
Остальные рефераты (21697)
Педагогика (7850)
Политология (3801)
Право (682)
Право, юриспруденция (2881)
Предпринимательство (475)
Прикладные науки (1)
Промышленность, производство (7100)
Психология (8694)
психология, педагогика (4121)
Радиоэлектроника (443)
Реклама (952)
Религия и мифология (2967)
Риторика (23)
Сексология (748)
Социология (4876)
Статистика (95)
Страхование (107)
Строительные науки (7)
Строительство (2004)
Схемотехника (15)
Таможенная система (663)
Теория государства и права (240)
Теория организации (39)
Теплотехника (25)
Технология (624)
Товароведение (16)
Транспорт (2652)
Трудовое право (136)
Туризм (90)
Уголовное право и процесс (406)
Управление (95)
Управленческие науки (24)
Физика (3463)
Физкультура и спорт (4482)
Философия (7216)
Финансовые науки (4592)
Финансы (5386)
Фотография (3)
Химия (2244)
Хозяйственное право (23)
Цифровые устройства (29)
Экологическое право (35)
Экология (4517)
Экономика (20645)
Экономико-математическое моделирование (666)
Экономическая география (119)
Экономическая теория (2573)
Этика (889)
Юриспруденция (288)
Языковедение (148)
Языкознание, филология (1140)

Реферат: Биполярные транзисторы

Название: Биполярные транзисторы
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: реферат Добавлен 04:46:44 31 июля 2009 Похожие работы
Просмотров: 3082 Комментариев: 3 Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать

Курс: Компьютерная системотехника

Тема: Биполярные транзисторы

1. Биполярные транзисторы

Определение.

Транзистор- ППП с 3-мя электродами, служащий для усиления сигналов (в общем случае по мощности) или их переключения.

2. Типы биполярных транзисторов и их диодные схемы замещения

Различают кремниевые (рис.1) и германиевые транзисторы (рис.2).

Рис.1. Рис.2.

На рис.1 и 2 показаны условные графические обозначения кремниевых (n-p-n) и германиевых (p-n-p) транзисторов и соответствующие им диодные схемы замещения.

Транзистор состоит из двух противоположно включенных диодов, которые обладают одним общим n - или p - слоем. Электрод связанный с ним называется базой (Б). Дав других электрода называются эмиттером (Э) и коллектором (К). Диодная эквивалентная схема, приведенная рядом с его графическим обозначением, поясняет структуру включения переходов транзистора. Хотя эта схема не характеризует полностью функции транзистoра, но она дает возможность представлять действующие в нем обратные и прямые токи и напряжения.

3. Физические явления в транзисторах

Эмиттерная область транзистора является источником носителей заряда, а область улавливающая эти носители заряда называется коллектром. Область, которая управляет потоком этих носителей, называется базой.

При подключении прямого напряжения между эмиттером и базой происходит инжекция носителей зарядов через открытый (смещенный в прямом направлении) переход Э-Б, т.е. переход их из области эмиттера в область базы.

Таким образом образуется эмиттерный ток (Iэ) через соответсвующий переход (ЭП- эмиттерный переход).

Как известно, при “дырочной" проводимости типа “p" основными носителями заряда являются “дырки”, а неосновными - электроны. Часть “дырок” пришедших в базовую область рекомбинируют в электроны, появляется ток базы (Iб), который очень мал по сравнению стоком эмиттера, так как только малая часть инжектированных “дырок” (носителей заряда) рекомбинирует.

Между коллектором и базой прикладывается обратное напряжение, поэтому говорят что носители заряда из области базы экстрагируются (втягиваются) в коллекторную область и за счет этого образуется ток коллектора (Iк).

Таким образом, на основании приведенных выше рассуждений можно записать следующие простые соотношения между токами эмиттера, базы и коллектора:

Iэ= Iб+Iк (1); Iб<<Iк (Iэ) (2); Iк @ Iэ (3);

Iк = a × Iэ ®a = Iк / Iэ » (0,9¸0,99) <1 (4);

Iк = a × Iэ + Iкбо (5),

где a× Iэ - управляемый ток, Iкбо - неуправляемый (обратный) ток, протекающий через переход Б-К в направлении противоположном прямому току Iк через этот переход.

Iк = b × Iб ®b = Iк / Iб (6);

Iк = b × Iб + Iкбо;

Uб » Uэ - Uэб (7);

b = a / 1 - a (8);

4. Подача напряжений питания

Обычно переход Э-Б смещен в прямом направлении, а К-Б - в обратном. Поэтому источники напряжений питания транзисторов должны быть включены, как показано на рис.3 и

Рис.3 Рис.4

Основная особенность транзисторов состоит в том, что коллекторный ток Iк является кратным базовому току Iб. Их отношение b = Iк / Iб называют коэфициентом усиления по току.

5. Схемы включения и статические параметры

Существуют три основные схемы включения транзисторов:

1) - ОЭ

2) - ОБ

3) - ОК

1) Схема с общим эмиттером применяется наиболее часто.

В этой схеме управляющее напряжение прикладывается к участку Б-Э, выходной сигнал снимается с резистора нагрузки, включенного в коллекторную цепь (потенциал эмиттера фиксирован).

Рис.5. Включение транзистора по схеме с ОЭ (а) и эквивалентная схема (б) для данного случая.

Вольт - амперные характеристики и режимы работы транзистора в данном случае приведены на рис.5.2.

Входные характеристики приведены на Рис.6а, выходные - на Рис.6б.

а) б)

Рис.6. Входные и выходные вольт - амперные характеристики транзистора включенного по схеме с ОЭ.

На семействе выходных характеристик выделяют три области:

1) Область линейного усиления;

2) Область наыщения:

3) Область отсечки.

В соответствии с этим транзистор может работать в трех режимах.

¨ В области линейного усиления, увеличение тока базы приводит к пропорциональному изменению тока коллектора, при этом динамическое сопротивление участка К-Э стремится к ¥

rкэ = vUк / vIк;

¨ В области насыщения, изменение тока коллектора не приводит к существенному изменению напряжения на коллекторе. Динамичнское сопротивление участка К-Э стремится к 0.

¨ В области отсечки Iк = Iкбо » 0. Динамическое сопротивление сопротивление участка К-Э стремится к ¥.

Величина Iк сверху ограничена допустимой рассеиваемой мощностью на участке К-Э. Превышение предельного тока Iк max ведет к разрушению транзистора, поэтому необходимо обеспечить схемные средства ограничения Iк. В простейшем случае это резистор в коллекторной (или эмиттерной) цепи фиксирующий ток коллектора на уровне Iк max = Eп / Rк. Но, в этом случае, потенциал коллектора изменяется при изменении тока коллектора (т.е. Uк = f (Iк)). Эта зависимость определяется так называемой нагрузчной прямой, отсекающей на осях координат два отрезка:

1) на оси абсцисс напряжение питания Еп при Iк = 0;

2) на оси ординат Iк max = Eп / Rк.

Пересечение нагрузочной прямой и выходной характеристики при конкретном токе базы дает, так называемую, рабочую точку.

Т.о. транзистор может работать в одном из следующих режимов (для n-p-n):

1) нормальный активный режим: Uбэ>0, Uкб>0

2) инверсный активный режим: Uбэ<0, Uкб<0

3) режим насыщения: Uбэ>0, Uкб<0

4) режим отсечки: Uбэ<0, Uкб>0

Нормальный активный режим.

В этом режиме переход Б-Э смещен в прямом направлении, а Б-К - в обратном.

При анализе основных схем включения транзисторов (здесь ОЭ, а далее ОБ и ОК) воспользуемся упрощенным (эквивалентным) представлением биполярного транзистора для низких частот, изображенном на рис.5. б.

Входная цепь представлена динамическим входным сопротивлением rбэ, а в коллекторной цепи использован управляемый источник тока коллектора (Iк = S × Uбэ),

где

При этом внутреннее динамическое сопротивление включено параллельно этому источнику тока, как и следует из теории электрических цепей (Теорема Теверена об эквивалентном генераторе). При определении основных характеристик и параметров схемы здесь и далее будем считать, что идеальные источники напряжений питания (Еп) и входного сигнала (Uвх).

Ток коллектора

1) Iк = a / 1 - a× Iб + 1/1 - a× Iкбо = b× Iб + (1+b) × Iкбо »b× Iб,

где: a- коэфициент передачи по току (т.е. коэфициент передачи тока из эмиттерной цепи в коллекторную) в схеме с ОЭ. Т. к. b>>1, то в схеме с ОЭ возможно усиление по току (потому, что Iб<<Iк!).

2) Ток базы закрытого транзистора. При Uбэ = 0 (транзистор закрыт) Iб » Iкбо, т.е. из базы вытекает ток, » обратному тепловому току перехода К-Б.

3) Входное сопротивление

Тогда ток базы, который также зависит и от Uбэ можно примерно определить так:

Iб = Iк ×b, где b = h21 э

4) Коэфициент усиления по напряжению

5) Коэфициент усиления по току

6) Выходное сопротивление

Режим насыщения

В этом режиме оба перехода смещены в прямом направлении.

Внешним проявлением режима насыщения является отсутствие зависимости Iк от Iб. Для схемы с ОЭ существует некоторый “граничный” ток Iбн, при котором достигается насыщение коллекторного тока

Iкн = b× Iбн

При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора не увеличивается и может быть введен некоторый коэфициент, характеризующий:

1) Степень насыщения

N = Iб / Iбн Þ Iкн = N × Iк

2) Входное сопротивление

Rвхн = Rвх / b,

где Rвх - входное сопротивление в активной линейной области.

3) Выходное напряжение

Uвых = Uкэн » Uбэ

Это так называемое остаточное напряжение на участке К - Э, слабо зависящее от величины коллекторного тока.

4) Выходное сопротивление

Rвых » rкэ » Rвых / b» Rк / b,

где Rвых - выходное сопротивление в активной линейной области.

Режим отсечки

В этом режиме оба перехода смещены в обратном направлении.

1) Iэ » 0

2) Iк » Iкбо

3) Iб »- Iкбо

Границей режима отсечки является обратное напряжение (напряжение отсечки) на переходе Б-Э (Uбэобр ), при котором Iэ = 0!

В большинстве цифровых схем Uбэобр такое, при котором Iб уменьшается в 100-200 раз!!

2) Схема с общей базой

В этой схеме управляющее напряжение прикладывается к участку Э-Б, а входной сигнал снимается с резистора нагрузки, вкюченного в коллекторную цепь. Потенциал базы при этом фиксирован, а потенциал Э должен быть меньше потенциала Б, если переход Б-Э смещен в прямом направлении.

а) б)

Рис.7

На рис.7 показана схема включения транзистора с ОБ и ее эквивалентная схема на низких частотах.

Вольт - амперная характеристика и режимы работы

а) б)

Рис.8 Входные а) и выходные б) характеристики.

Нормальный активный режим.

В этом режиме, как и в схеме с ОЭ, переход Б-Э смещен в прямом направлении, переход К-Б в - обратном.

1) Iк = a× Iэ + Iко (eUкб/Uт -1) = a× Iэ + Iкбо »a× Iэ

Т. к. a<1, то усиление по току в такой схеме невозможно Iк = b× Iб.

2)

3) Ki = a» 1

4) Rвх » rбэ / ÙUвх / Ù Iвх, т.е. в b раз меньше чем всхеме с ОЭ!!

5)

,

т.е. такое же как и в схеме с ОЭ.

Режим насыщения

в данной схеме возможно только при Uк < Uб, что недостижимо при фиксированной полярности питания. Т.е. режима насыщения нет.

3) Схема с общим коллектором

Это по сути частный случай схемы с ОЭ при Rк = 0! Поэтому, практически все соотношения для токов транзистора и потенциалов на его переходах, характерные для схемы с ОЭ, могут быть применим и в данном случае.

В этой схеме управляющее напряжение приложено к участку Б-Э, выходной сигнал снимается с резистора нагрузки, включенного в эмиттерную цепь. Потенциал коллектора при этом фиксирован!

Причем, в этой схеме, также как и в схеме с ОБ, отсутствует режим насыщения, поскольку потенциал коллектора никогда не может быть ниже потенциала базы!!

Параметры схемы в режиме отсечки аналогичны таковым в схеме с ОЭ!!

На рис.8 приведены схема включения и ее эквивалентная схема.

Рис.8

1)

2)

3) Rвх = rбэ + b× Rэ, т.е. во много раз больше чем Rвх в схемах с ОЭ и ОБ! (десятки и сотни кОм).

4)

Т. е. такая схема имеет высокий Ki, малое Rвых и большое Rвх!!

6. h и Y параметры транзисторов

Транзистор можно рассматривать как четырехполюсник где

Uвх = U1, Iвх = I1 , Uвых = U2 , Iвых = I2 .

h11 э = ÙUбэ / ÙIбэ ÷Uк = const = Rвх

h12 э = ÙUбэ / ÙUк ½Iб = const -

коэффициент внутренней ОС (очень малая величина, которой в инженерной практике пренебрегают и принимают = 0)

h21 э = ÙIк / ÙIб ½Iб = const = b

h22 э = ÙIк / ÙUк ½Iб = const -

Выходная проводимость

([Сименс] = 1/Ом)

Rвых = 1/ h22э

В настоящее время для практических расчетов h и y параметры практически не используются!

7. Влияние температуры на статистические характеристики транзистора. Динамические параметры

Это параметры, которые совместно с такими же параметрами других компонентов схемы определяют вид АЧХ линейной схемы или характер переходных процессов в ключевых схемах.

Частотные свойства транзистора в активном режиме определяются:

инерционностью процессов распространения подвижных носителей в транзисторной структуре (в основном на базе);

наличием емкостей переходов (в частности барьерной емкостью коллекторного перехода) и конечным значением внутренних сопротивлений;

эффектами накопления и рассеивания зарядов.

Обычно, для упрощения анализов динамических процессов, большую часть источников инерционности процессов в транзисторе сводятся к эквивалентным емкостям (зависящим, в общем случае, от напряжения и частоты). За счет этого получают достаточно простые эквивалентные схемы транзистора на переменном токе, приведенные на рис.5.6.

Рис.9. Эквивалентные схемы для активного режима а) и режима отсечки б).

Коэффициент передачи по току может быть представлен характеристикой ФНЧ первого порядка

,

где wb - частота среза.

Во временной области эта зависимость имеет вид:

,

где tb = 1/wb - постоянная времени изменения коэффициента передачи по току.

Граничной частотой усиления (или “частотой единичного усиления”) называют частоту, при которой модуль коэффициента усиления уменьшается до

В практических в расчетах используется соотношение

wгр = b×wb

ta = tb / (1+b) или tb = (1+b) ta »b×ta ,

где ta = 1/2pfa , fa - граничная частота усиления для схемы с ОЭ, которая приводится обычно в справочных данных!

Кроме fa в справочных данных приводятся значения ta и tb , а также величины емкостей эмиттерного (С* эо ) и коллекторного (С* ко ) переходов при Uкб=0, Uэб=0, Uкк и Uэк - контактная разность потенциалов переходов К-Б и Э-Б.

Особенности переходных процессов в ключевом режиме работы транзистора включенного, например, по схеме с ОЭ заключается в наличии времени рассасывания заряда неосновных носителей, накопленного в базе при протекании тока в отрытом и насыщенном состоянии. Причем, с увеличением Iкн увеличивается tр!

Iк (t) = b (t) ×Iб

Iкн = bо × Iбн ® Iбн = S × Iбо

9. Предельно допустимые параметры

1) Uэбобр - электрический (Зенеровский) или тепловой пробой перехода Б-Э

2) Uкбобр

Это max допустимые обратные напряжения на переходах Э-Б и К-Б. Причем,

Uэбобр < Uкбобр (иногда в 2 раза!)

3) Uкэmax

4) Pрmax - максимально допустимая рассеиваемая мощность

Pр » Uкэ × Iк

В паспорте обычно указывается Pрmax при температуре корпуса, равной 25о С. С увеличением tо С необходимо уменьшение Pр ниже Pрmax !

Литература

1. Волович Г.И. Схемотехника аналоговых и аналого-цифровых электронных устройств. М., 2005. - 530с.

2. Лысенко А.П. Статический коэффициент передачи тока базы транзистора и его зависимость от режима и температуры. Учебное пособие - Московский государственный институт электроники и математики. М., 2005. - 29 с.

3. Нефедов А.В. Интегральные микросхемы и их зарубежные аналоги. Справочник. Том 1. Издательство: РадиоСофт, 2000. - 512с.

4. Петухов В.М. Биполярные транзисторы средней и большой мощности сверхвысокочастотные и их зарубежные аналоги. Справочник. Том 4. Издательство: КУбК-а, 1997. - 544с.

5. Чижма С.Н. Основы схемотехники. СПб., 2008. - 424с.

Оценить/Добавить комментарий
Имя
Оценка
Комментарии:
Где скачать еще рефератов? Здесь: letsdoit777.blogspot.com
Евгений07:06:18 19 марта 2016
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
11:59:42 29 ноября 2015
Кто еще хочет зарабатывать от 9000 рублей в день "Чистых Денег"? Узнайте как: business1777.blogspot.com ! Cпециально для студентов!
13:47:04 25 ноября 2015

Работы, похожие на Реферат: Биполярные транзисторы
Лекции по твердотельной электронике
Московский энергетический институт (технический университет) ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА Конспект лекций Москва, 2002 г. Содержание Лекция 1 5 1 ...
К отличиям от ОЭ следует так же так же отнести то, что тепловой ток I*к0, измеренный при = 0, в (ѭ+1) раз больше, чем ток Iк0, измеренный при Iэ = 0. В ОЭ менше выходное ...
Таким образом rк возрастает с увеличением коллекторного напряжения ( пропорционально =Uкб) и уменьшается при увеличении тока эмиттера (соответственно и тока коллектора), т.е. при ...
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: реферат Просмотров: 12125 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 2 человек Средний балл: 5 Оценка: неизвестно     Скачать
Физические основы электроники
Министерство Российской Федерации по связи и информатизации Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики В.Л. Савиных ...
Когда нет импульса на входе, транзистор находится в режиме отсечки и ток коллектора практически отсутствует IКБ0 (точка А на выходных характеристиках (рисунок 3.16,б ...
=(UВХEБЭ)/RБ= НАС, транзистор открывается, рабочая точка перемещается в точку Б (режим насыщения) и напряжение на коллекторе падает до значения uКЭ= ЕКЭ- НАС RК=UКЭ ОСТ.
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: реферат Просмотров: 5628 Комментариев: 3 Похожие работы
Оценило: 1 человек Средний балл: 5 Оценка: неизвестно     Скачать
Транзисторы
ТРАНЗИСТОРЫ 1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора Транзистором называется преобразовательный полупроводниковый прибор, имеющий не ...
1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
Выходные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы:
В паспортах транзисторов и справочниках указывается ряд других параметров: максимально допустимый ток базы, обратный ток эмиттера, максимально допустимый импульсный ток коллектора ...
Раздел: Рефераты по физике
Тип: учебное пособие Просмотров: 3879 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Усилительные каскады переменного тока на биполярных транзисторах
Содержание Содержание. 1 Усилительные каскады переменного тока на биполярных транзисторах 2 Общие положения. 2 Понятие о классах усиления усилительных ...
Увеличение входного сигнала приводит к росту тока базы и, соответственно, коллектора, росту падения напряжения на Rк и уменьшению падения напряжения на транзисторе.
Все эти воздействия приводят к изменению коллекторного тока транзистора и, следовательно, изменению выходного напряжения усилительного каскада.
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: учебное пособие Просмотров: 17353 Комментариев: 3 Похожие работы
Оценило: 1 человек Средний балл: 5 Оценка: неизвестно     Скачать
... биполярных транзисторов КТ209Л, КТ342Б и полевого транзистора КП305Е
Московский государственный технический университет им Н.Э. Баумана Калужский филиал Пояснительная записка к курсовой работе по курсу "Физика ...
Из этой зависимости возможно экстрагировать NC - коэффициент неидеальности коллекторного перехода, ISC - ток насыщения утечки перехода база-коллектор, BR - максимальный коэффициент ...
Графики прямых передаточных характеристик в активном режиме =f() и В=f(), где В= / - статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, соответственно ...
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: курсовая работа Просмотров: 2856 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Блок интерфейсных адаптеров
СОДЕРЖАНИЕ 1. Разработка технического задания 2. Литературно-патентный поиск 3. Анализ исходных данных и основные технические требования к ...
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
Защитные мероприятия не требуются: для приборов с установившемся током короткого замыкания 20 мА; для приборов с батарейным электропитанием и преобразователем напряжения, если ...
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: дипломная работа Просмотров: 808 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Электронные цепи и приборы (шпаргалка)
1. Зонная модель полупроводника. К полупроводникам (ПП) относятся вещества, занимающие по величине удельной электрической проводимости промежуточное ...
Это объясняется тем, что с увеличением обратного коллекторного U растет ширина коллекторного перехода (в основном в сторону базы), уменьшается рекомбинация неосновных носителей в ...
Для переключающих и импульсных транзисторов указывают напряжения в режиме насыщения Uбэ нас, и Uкэ нас, и время рассасывания tрас, при заданных токах нас, и .
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: шпаргалка Просмотров: 2557 Комментариев: 3 Похожие работы
Оценило: 1 человек Средний балл: 5 Оценка: неизвестно     Скачать
Тиристоры и некоторые другие ключевые приборы
1. ЧЕТЫРЕХСЛОЙНЫЕ р-п-р-п СТРУКТУРЫ Наряду с приборами, дающими возможность осуществлять линейное усиление сигналов, в электронике, в вычислительной ...
В частном случае, при = 0, получается характеристика динистора (3). Выражение (11) ясно показывает, что данному току соответствует тем меньшее напряжение Uk, чем больше ток ...
Тогда в запертом состоянии и при токе = 0 рабочей точкой будет точка а. Увеличивая ток до значения Iб1, мы вызовем скачкообразный переход рабочей точки из положения a1 в ...
Раздел: Рефераты по радиоэлектронике
Тип: реферат Просмотров: 676 Комментариев: 2 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Элементы квантовой механики
В настоящее время развитие вычислительной техники проходит, в основном, в двух направлениях: 1. развитие и усовершенствование схематических решений ...
Величина h21б/(1 - h21б ) = h21э - коэффициент потока в коллекторную цепь для схемы с ОЭ (иногда b).
Т.к. каждая ветвь соответствует определённому , то координаты (Uк,) точки пересечения этой ветви с нагрузочной прямой будет определять входные параметры каскада ОЭ.
Раздел: Рефераты по математике
Тип: курсовая работа Просмотров: 232 Комментариев: 3 Похожие работы
Оценило: 0 человек Средний балл: 0 Оценка: неизвестно     Скачать
Биполярные транзисторы
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ 1. Общие сведения Транзисторы - это полупроводниковые приборы, пригодные для усиления мощности и имеющие три вывода или больше ...
Ток эмиттера управляется напряжением на эмиттерном переходе, но до коллектора доходит несколько меньший ток, который можно назвать управляемым коллекторным током . упр..
Усилительные свойства транзистора при включении его по схеме ОЭ характеризует один из главных его параметров - статический коэффициент усиления по току (или коэффициент передачи ...
Раздел: Рефераты по коммуникации и связи
Тип: реферат Просмотров: 2356 Комментариев: 3 Похожие работы
Оценило: 2 человек Средний балл: 5 Оценка: неизвестно     Скачать

Все работы, похожие на Реферат: Биполярные транзисторы (1221)

Назад
Меню
Главная
Рефераты
Благодарности
Опрос
Станете ли вы заказывать работу за деньги, если не найдете ее в Интернете?

Да, в любом случае.
Да, но только в случае крайней необходимости.
Возможно, в зависимости от цены.
Нет, напишу его сам.
Нет, забью.



Результаты(151334)
Комментарии (1844)
Copyright © 2005-2016 BestReferat.ru bestreferat@mail.ru       реклама на сайте

Рейтинг@Mail.ru